[发明专利]一种增光膜晶体硅太阳能电池板及其制造方法

说明书

本发明公开了一种增光膜晶体硅太阳能电池板及其制造方法，属于晶体硅太阳能电池技术领域，包括晶体硅电池基体(1)，晶体硅电池基体(1)上设有减反射膜堆(2)，减反射膜堆(2)上设有增光膜(3)，解决了现行的晶体硅太阳能电池片在多个波段附近增光效果差的技术问题，本发明能达到更好的减反射效果，降低了晶硅太阳能电池短波部分的反射率，提高太阳能电池的短路电流。

技术领域

本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域。

背景技术

现行晶体硅太阳能电池片上面减反射膜为SiNx,采用PECVD镀膜的技术,PECVD镀膜技术有镀膜成本高,折射调整不容易等问题。现行SiNx的折射率在2.0～2.2之间,厚度在60～100nm。但是目前晶体硅太阳能电池组件的封装材料折射率在1.46～1.52之间，使用单层或渐变的SiNx折射率在2.0～2.2之间只能对小范围的波长起到良好的减反射效果。

发明内容

本发明的目的是提供一种增光膜晶体硅太阳能电池板及其制造方法，解决了现行的晶体硅太阳能电池片在多个波段附近增光效果差的技术问题。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：

一种增光膜晶体硅太阳能电池板，包括晶体硅电池基体，晶体硅电池基体上设有减反射膜堆，减反射膜堆上设有增光膜。

所述减反射膜堆的材料为SiNx或SiOx，所述减反射膜堆的厚度为70～120nm，所述减反射膜堆的折射率为1.8～2.3。

所述增光膜的材料为AlOx或SiOx。

所述增光膜的折射率为1.2～1.4，厚度为20～80nm。

所述增光膜的折射率为1.6～1.8，厚度为60～140nm。

晶体硅电池基体上设有细柵线和主柵线，所述增光膜设在所述减反射膜堆和所述细柵线上。

晶体硅电池基体为单晶硅和多晶硅。

一种增光膜晶体硅太阳能电池板的制造方法，包括如下步骤：

步骤1：将增光膜材料以喷涂、刷涂或滚涂的方法均匀地涂覆在晶体硅电池基体上；

步骤2：涂覆增光膜材料的晶体硅电池基体放入高温箱进行固化，固化温度为90～200度,固化时间为0.1～10分钟，所述高温箱以热风方式或红外方式进行固化；

步骤3：对高温固化完成后的晶体硅电池基体进行排串和层叠的加工。

在执行步骤1之前，首先使用遮挡材料对晶体硅电池基体上的主栅线进行遮挡，所述遮挡材料为PET胶带,铝箔或金属胶带；

在执行步骤2之后，对晶体硅电池基体进行串焊加工。

在执行步骤1之前首先对晶体硅电池基体进行串焊加工。

本发明所述的一种增光膜晶体硅太阳能电池板及其制造方法，解决了现行的晶体硅太阳能电池片在多个波段附近增光效果差的技术问题，本发明能达到更好的减反射效果，降低了晶硅太阳能电池短波部分的反射率，提高太阳能电池的短路电流。

附图说明

图1是本发明的结构示意图；

图2是本发明的样品G1和样品G2的反射率曲线图；

图3是本发明的样品G1和样品G2的EQE外量子效率对比曲线图；

图4是本发明的样品G3和样品G4的反射率曲线图；

图5是本发明的样品G3和样品G4的EQE外量子效率对比曲线图；

具体实施方式

实施例1：