[发明专利]非易失性存储器修复电路在审
| 申请号： | 201710255450.9 | 申请日： | 2017-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108735268A | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 何学文;耿晓祥;张雷 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/44 | 分类号： | G11C29/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及非易失性存储器修复电路。一种集成电路包含片上闪存存储器、EEPROM、高速缓冲存储器和修复控制器。当在闪存存储器中检测到缺陷地址时，将要存储于缺陷地址的已排入数据(data slotted)由修复控制器存储于EEPROM中。高速缓冲存储器包括内容可寻址存储器(CAM)，CAM检查读地址与带缺陷的存储器地址，并且如果存在匹配，则存储于EEPROM中的数据被移至高速缓冲，使得它能够代替存储于闪存存储器的有缺陷位置的数据而被输出。存储器修复系统不需要任何熔丝，闪存也不需要包含冗余的行或列。此外，缺陷地址还能够被即时检测并修复。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存存储器 缺陷地址 存储 非易失性存储器 高速缓冲存储器 修复控制器 修复电路 内容可寻址存储器 存储器地址 存储器修复 高速缓冲 即时检测 缺陷位置 冗余 读地址 熔丝 闪存 集成电路 匹配 修复 输出 检测 检查 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，该存储器装置作为集成电路芯片的一部分，所述存储器装置包含：第一片上存储器系统，所述第一片上存储器系统包含用于将第一数据包存储于具有第一地址的第一存储器段中的第一非易失性存储器，其中所述第一存储器段包含一组存储器单元；连接到所述第一存储器系统的修复控制器，其中所述修复控制器接收指示所述一组存储器单元的存储器单元有缺陷的错误信号，并且基于所述错误信号接收所述第一数据包和所述第一地址；第二片上存储器系统，所述第二片上存储器系统包含连接到所述修复控制器的第二非易失性存储器，其中所述第二存储器系统基于所述错误信号接收并存储所述第一数据包和所述第一地址；以及连接到所述第一存储器系统和第二存储器系统的高速缓冲存储器，其中：所述高速缓冲存储器在读操作期间接收第一读地址，以及所述高速缓冲存储器基于负载请求信号从所述第二存储器系统接收并存储所述第一数据包和所述第一地址，并且当所述第一读地址与所述第一地址匹配时输出所述第一数据包。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710255450.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：数据处理
- 下一篇：一种基于连续聚类框架的脑纤维快速聚类方法
