[发明专利]非易失性存储器修复电路

说明书

本公开涉及非易失性存储器修复电路。一种集成电路包含片上闪存存储器、EEPROM、高速缓冲存储器和修复控制器。当在闪存存储器中检测到缺陷地址时，将要存储于缺陷地址的已排入数据(data slotted)由修复控制器存储于EEPROM中。高速缓冲存储器包括内容可寻址存储器(CAM)，CAM检查读地址与带缺陷的存储器地址，并且如果存在匹配，则存储于EEPROM中的数据被移至高速缓冲，使得它能够代替存储于闪存存储器的有缺陷位置的数据而被输出。存储器修复系统不需要任何熔丝，闪存也不需要包含冗余的行或列。此外，缺陷地址还能够被即时检测并修复。

技术领域

本发明大体涉及包含存储器装置的集成电路，并且更具体地涉及具有存储器以及修复缺陷存储器单元或者针对缺陷存储器单元进行调整的存储器修复系统的集成电路。

背景技术

半导体集成电路通常包含片上存储器，如闪存存储器。闪存存储器可能会由于例如制造工艺变动或老化而具有一些缺陷存储器单元。与丢弃该集成电路相比，提供用于修复该存储器的电路系统更具成本效益。

一种避免丢弃含有具有带缺陷的存储器单元的片上存储器的集成电路的已知技术是使用熔丝(例如，多晶硅熔丝(polyfuses)和反熔丝)以及冗余存储器扇区。典型地，存储器包含一组存储器扇区，并且每个扇区都包含一组存储器单元。存储器还包含自测电路，该自测电路测试每个存储器扇区以定位任何缺陷存储器单元。识别缺陷存储器单元的方法是众所周知的。具有一个或多个缺陷存储器单元的存储器扇区被称为故障存储器扇区。

当自测电路识别到故障存储器扇区时，使用激光器或电压源来停用对应于故障存储器扇区的熔丝。还基于熔丝的类型而使用激光器或电压源来激活对应于冗余存储器扇区的熔丝。冗余存储器扇区对应于故障存储器扇区。然后，原先要存储于故障存储器扇区中的数据作为替代被存储于冗余存储器扇区中。冗余存储器扇区从而代替了故障存储器扇区，并且这被称为修复了存储器。但是，这种技术使用了大量的资源，例如，熔丝和冗余存储器扇区。此外，激活和停用熔丝的方法容易出错，并且可能会导致存储器装置的不当操作。同样必要的是，冗余存储器扇区与故障存储器扇区是相同的存储器类型。由于熔丝的激活和停用需要外部的构件(如激光器)，因而这种技术只能够在集成电路的初始测试期间(即，在工厂)实现。还存在着已停用的熔丝由于停用故障以及外部参数(如温度)的影响而被重新激活的可能性。此外，故障存储器扇区还可能具有除了少数缺陷单元外都是没有缺陷的大量存储器单元。

另一种已知的方法是使用包含一组存储器单元的修复电路，这组存储器单元被排列为一组行或一组列。存储器还包含对应的一组冗余的行或列。修复电路能够测试存储器，以检测并定位缺陷单元(即，有缺陷的存储器单元的行或列)。然后，所识别的行或列的存储器单元的数据被存储于对应的冗余行或冗余列中。但是，为了成功实现这种方法，这些组的冗余行和冗余列在结构上与存储器的这些组的行和列相似是至关重要的。此外，修复电路需要额外的处理和时间来确定缺陷存储器单元的行和列并将所识别的缺陷单元的行或列之一替换为冗余行或冗余列的对应单元。

因此，若能获得以下集成电路将是有利，该集成电路具有使用有限数量的资源不仅能够在工厂测试期间修复也能够在集成电路的寿命期间即时(on the fly)修复的存储器。

附图说明

当结合附图来阅读时，下面关于本发明的优选实施例的详细描述将会更好理解。本发明以示例的方式来示出，但并不限定于附图，在附图中，同样的附图标记指示相似的元件。

图1是根据本发明的实施例的存储器装置的示意框图。

具体实施方式