[发明专利]阵列基板结构及阵列基板的制备方法有效
申请号: | 201710249966.2 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN106932986B | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
发明(设计)人: | 郝思坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;刘巍 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种阵列基板结构及阵列基板的制备方法。该阵列基板的制备方法包括:步骤1、在基板上制备第一金属层,图案化第一金属层,制备栅电极;步骤2、在基板上制备栅极绝缘层,制备有源层;步骤3、在栅极绝缘层上对应于第一金属层形成第一过孔;步骤4、在栅极绝缘层上制备第二金属层,图案化第二金属层,制备源/漏电极,并且对应于有源层形成第二过孔,第一金属层与第二金属层在第一过孔处连接;步骤5、通制备像素电极,像素电极与源/漏电极在第二过孔处直接连接,第二金属层由像素电极覆盖保护。本发明还提供了相应的阵列基板结构。本发明能够提升高分辨率下像素开口率和液晶显示器的显示效果和品质,改善了面板的电学特性。 | ||
搜索关键词: | 阵列 板结 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:步骤1、提供基板,在基板上制备第一金属层,通过第一道光罩图案化第一金属层,制备栅电极;步骤2、在基板上制备栅极绝缘层,通过第二道光罩制备有源层;步骤3、通过第三道光罩在栅极绝缘层上对应于第一金属层形成第一过孔;步骤4、在栅极绝缘层上制备第二金属层,通过第四道光罩图案化第二金属层,制备源/漏电极,并且对应于有源层形成第二过孔,第一金属层与第二金属层在第一过孔处连接;步骤5、通过第五道光罩制备像素电极,像素电极与源/漏电极在第二过孔处直接连接,第二金属层由像素电极覆盖保护。
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