[发明专利]阵列基板结构及阵列基板的制备方法

说明书

本发明涉及一种阵列基板结构及阵列基板的制备方法。该阵列基板的制备方法包括：步骤1、在基板上制备第一金属层，图案化第一金属层，制备栅电极；步骤2、在基板上制备栅极绝缘层，制备有源层；步骤3、在栅极绝缘层上对应于第一金属层形成第一过孔；步骤4、在栅极绝缘层上制备第二金属层，图案化第二金属层，制备源/漏电极，并且对应于有源层形成第二过孔，第一金属层与第二金属层在第一过孔处连接；步骤5、通制备像素电极，像素电极与源/漏电极在第二过孔处直接连接，第二金属层由像素电极覆盖保护。本发明还提供了相应的阵列基板结构。本发明能够提升高分辨率下像素开口率和液晶显示器的显示效果和品质，改善了面板的电学特性。

技术领域

本发明涉及液晶显示器领域，尤其涉及一种阵列基板结构及阵列基板的制备方法。

背景技术

液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器，已经逐渐成为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕所广泛应用具有高分辨率彩色屏幕的显示器。目前普遍采用的液晶显示器，通常有上下衬底和中间液晶层组成，衬底有玻璃和电极等组成。如果上下衬底都有电极，可以形成纵向电场模式的显示器，如扭曲向列(TN，Twist Nematic)模式，垂直配向(VA，Vertical Alignment)模式，以及为了解决视角过窄开发的多畴垂直配向(MVA，Multi-domain Vertical Alignment)模式。另外一类与上述显示器不同，电极只位于衬底的一侧，形成横向电场模式的显示器，如平面转换(IPS，In-plane switching)模式、边缘场开关(FFS，Fringe Field Switching)模式等。

薄膜晶体管显示器，以其高开口、高分辨率、广视角等特点为液晶电视等大尺寸面板采用，但高分辨率面板中，使用传统制程方法设计的像素开口率低，边框宽度的阵列基板行驱动(GOA)电路宽。

参见图1，其为现有的阵列基板5道光罩制程示意图。现有的5道光罩制程主要包括：提供基板10，在基板10上制备第一金属层11，通过第一道光罩图案化第一金属层11，制备栅(Gate)电极12，除栅电极12外的第一金属层11可形成扫描线和公共电极线等结构；在基板10上制备栅极绝缘层(GI)13，通过第二道光罩制备有源层14；制备第二金属层15，通过第三道光罩图案化第二金属层15，制备源/漏(Source/Drain)电极16，除源/漏电极16外的第二金属层15可形成数据线等结构；制备保护层17，通过第四道光罩制备在保护层17上形成过孔，过孔位置分别对应于源/漏电极16，液晶显示外围驱动电路部分的第一金属层11和第二金属层15；通过第五道光罩制备像素电极18，像素电极材料可以为氧化铟锡(ITO)。

图2所示为基于现有5道光罩制程的像素结构示意图，图中所示为VA像素结构，除VA像素外还可以是IPS等像素结构。有源层(Active layer)及其附近的栅极，源极和漏极构成了驱动像素电极(Pixel electrode)的薄膜晶体管，像素电极与源/漏电极经由过孔(VIA)相互连接。液晶显示外围驱动电路主要包括扫描线(Gate line)，数据线(Dataline)，公共电极线(Comline)。

基于以上技术制造的高分辨率液晶显示器，有以下缺点：

1.像素内源/漏(Source/Drain)电极与像素电极连接需要过孔，在高分辨率液晶显示器中，该过孔降低了液晶显示器的开口率，进而影响液晶显示器的液晶效率。

2.在液晶显示外围驱动电路，第一层金属和第二层金属连接需要使用ITO桥接，该种桥接结构增加了边框，尤其是影响GOA电路的面积，另外ITO桥接结构增加了桥接的阻抗，影响面板的电学特性。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供一种阵列基板的制备方法，提升高分辨液晶显示器的穿透率，降低边框宽度。

本发明的另一目的在于提供一种阵列基板结构，提升高分辨液晶显示器的穿透率，降低边框宽度。