[发明专利]阵列基板结构及阵列基板的制备方法有效
| 申请号： | 201710249966.2 | 申请日： | 2017-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN106932986B | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 郝思坤 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;刘巍 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 板结 制备 方法 | ||
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：
步骤1、提供基板，在基板上制备第一金属层，通过第一道光罩图案化第一金属层，制备栅电极；
步骤2、在基板上制备栅极绝缘层，通过第二道光罩制备有源层；
步骤3、通过第三道光罩在栅极绝缘层上对应于第一金属层形成第一过孔；
步骤4、在栅极绝缘层上制备第二金属层，通过第四道光罩图案化第二金属层，制备源/漏电极，并且对应于有源层形成第二过孔，第一金属层与第二金属层在第一过孔处连接；
步骤5、通过第五道光罩制备像素电极，像素电极与源/漏电极在第二过孔处直接连接，第二金属层由像素电极覆盖保护。
2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为VA型液晶显示器的阵列基板。
3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述阵列基板为IPS型液晶显示器的阵列基板。
4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述像素电极材料为氧化铟锡。
5.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，步骤1中，该第一金属层图案化后还形成扫描线和公共电极线。
6.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，步骤4中，该第二金属层图案化后还形成数据线。
7.一种阵列基板结构，其特征在于，包括逐层制备得到的基板，第一金属层和栅电极，栅极绝缘层，有源层，第二金属层和源/漏电极，以及像素电极；在栅极绝缘层上对应于第一金属层设有第一过孔，源/漏电极对应于有源层的位置形成第二过孔，第一金属层与第二金属层在第一过孔处连接，像素电极与源/漏电极在第二过孔处直接连接，第二金属层由像素电极覆盖保护。
8.如权利要求7所述的阵列基板结构，其特征在于，所述阵列基板为VA型液晶显示器的阵列基板。
9.如权利要求7所述的阵列基板结构，其特征在于，所述阵列基板为IPS型液晶显示器的阵列基板。
10.如权利要求7所述的阵列基板结构，其特征在于，所述像素电极材料为氧化铟锡。
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