[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置有效
| 申请号: | 201710236527.8 | 申请日: | 2017-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN106935546B | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
| 发明(设计)人: | 叶路路;姚磊;张凯;史大为;高娜娜;张盼盼 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置,用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板,在衬底基板上形成有源层,在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层,在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层,沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层,第一膜层和第三膜层包括氧化硅层,第二膜层和第四膜层包括氮化硅层;形成位于层间介质层上的光刻胶层;形成从层间介质层延伸至有源层的过孔;形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层,在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板的制备方法,包括:提供一衬底基板,在所述衬底基板上形成有源层,在所述有源层朝向所述衬底基板或背离所述衬底基板的一侧形成栅极层,其特征在于,还包括:在所述有源层背离所述衬底基板的一侧形成层间介质层,其中:沿远离所述衬底基板方向、形成的所述层间介质层包括:依次层叠设置的第一膜层、第二膜层、第三膜层以及第四膜层,其中所述第一膜层和所述第三膜层均包括氧化硅层,所述第二膜层和所述第四膜层均包括氮化硅层;形成位于所述层间介质层上的光刻胶层;形成从所述层间介质层延伸至所述有源层的过孔;形成位于所述层间介质层背离所述衬底基板一侧的源、漏极层,其中在形成所述源、漏极层的同时去除所述层间介质层中未被所述源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710236527.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种通信线路拉线倒盘紧固工具
- 下一篇:用于光学镜镜片和镜筒装配的压紧装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





