[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置，用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板，在衬底基板上形成有源层，在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层，在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层，沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层，第一膜层和第三膜层包括氧化硅层，第二膜层和第四膜层包括氮化硅层；形成位于层间介质层上的光刻胶层；形成从层间介质层延伸至有源层的过孔；形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层，在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。

技术领域

本发明涉及显示器技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术

显示装置一般包括阵列基板和彩膜基板，阵列基板内作为绝缘作用的层间介质层位于栅极与源、漏极层之间，需要经镀膜、活化、氢化、掩模曝光、干法刻蚀以及剥离工序以形成接触孔，使得源、漏极线可以与多晶硅层相连并传输电信号。

而在低温多晶硅技术工艺中，层间介质层一般采用氧化硅SiOX和氮化硅SiNX两层结构形成，但是两层结构的层间介质层存在大视角色偏严重的现象，而使用氧化硅SiOX、氮化硅SiNX、氧化硅SiOX三层结构，又容易因上层的氧化硅SiOX位于栅极线边缘的部分受底层栅极线的形状、氮化硅SiNx所受应力差异等原因产生断裂，若层间介质层存在裂纹，在层间介质层上形成源、漏极时，源、漏极的形成材料会进入层间介质层的裂纹中，导致显示面板显示不良，且采用三层结构在层间介质层，由于氧化硅对光刻胶的吸附性较差，故需要在涂布光刻胶前涂布光刻胶粘合剂，而光刻胶粘合剂容易导致显示面板多个亮点和暗点不良现象的发生。

发明内容

本发明提供了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置，用以在不引起大视角色偏的基础上，减少显示装置多个亮点和暗点现象的发生，提高显示装置的显示效果。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

本发明提供了一种阵列基板的制备方法，包括：包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有源层，在所述有源层朝向所述衬底基板或背离所述衬底基板的一侧形成栅极层，，还包括：

在所述有源层背离所述衬底基板的一侧形成层间介质层，其中：沿远离所述衬底基板方向、形成的所述层间介质层包括：依次层叠设置的第一膜层、第二膜层、第三膜层以及第四膜层，其中所述第一膜层和所述第三膜层包括氧化硅层，所述第二膜层和所述第四膜层包括氮化硅层；

形成位于所述层间介质层上的光刻胶层；

形成从所述层间介质层延伸至所述有源层的过孔；

形成位于所述层间介质层背离所述衬底基板一侧的源、漏极层，其中在形成所述源、漏极层的同时去除所述层间介质层中未被所述源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。

本发明提供的阵列基板的制备方法，将层间介质层采用四层膜层形成，这样可以避免原有的三层膜层位于顶层的氧化硅与光刻胶粘附性差，需要额外涂布光刻胶粘合剂的问题，可以节省成本，同时可以减少由于涂布光刻胶粘合剂产生的多个亮点和暗点现象的发生，此外，形成的层间介质层位于源、漏极未覆盖的区域的部分上的第四膜层(氮化硅膜层)在经过刻蚀工艺形成源、漏极的同时被刻蚀掉，可以使得层间介质层未被源、漏极覆盖的区域仍为三层膜层(氧化硅层、氮化硅层、氧化硅层)，这样可以不引起显示装置大视角色差。

故，本发明提供的阵列基板的制备方法，可以在不引起大视角色偏的基础上，减少显示装置多个亮点和暗点现象的发生，提高显示装置的显示效果。

在一些可选的实施方式中，形成的所述第四膜层的厚度大于等于20纳米且小于等于80纳米。便于刻蚀去除。