[发明专利]阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制备方法，包括：提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有源层，在所述有源层朝向所述衬底基板或背离所述衬底基板的一侧形成栅极层，其特征在于，还包括：

在所述有源层背离所述衬底基板的一侧形成层间介质层，其中：沿远离所述衬底基板方向、形成的所述层间介质层包括：依次层叠设置的第一膜层、第二膜层、第三膜层以及第四膜层，其中所述第一膜层和所述第三膜层均包括氧化硅层，所述第二膜层和所述第四膜层均包括氮化硅层；

形成位于所述层间介质层上的光刻胶层；

形成从所述层间介质层延伸至所述有源层的过孔；

形成位于所述层间介质层背离所述衬底基板一侧的源、漏极层，其中在形成所述源、漏极层的同时去除所述层间介质层中未被所述源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成的所述第四膜层的厚度大于等于20纳米且小于等于80纳米。

3.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成的所述第一膜层、所述第二膜层以及所述第三膜层的厚度大于等于80纳米且小于等于1000纳米。

4.如权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在形成所述源、漏极层的同时去除所述层间介质层中未被所述源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层，具体包括：

在采用刻蚀工艺形成源、漏极层的同时、刻蚀掉所述层间介质层中未被所述源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。

5.如权利要求1～4任一项所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述栅极层位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，所述阵列基板的制备方法还包括：

形成位于所述衬底基板与所述有源层之间的遮光层；

形成位于所述遮光层和所述有源层之间的缓冲层；

形成位于所述有源层和所述栅极层之间的栅极绝缘层；

形成位于所述源、漏极层上的平坦层；

形成位于所述平坦层上的第一电极层；

形成位于所述第一电极层上的钝化层；

形成从所述钝化层延伸至源、漏极层的接触孔；

形成位于所述钝化层上的第二电极层，所述第二电极层通过所述接触孔与所述源、漏极层连接。

6.一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的有源层，位于所述有源层朝向所述衬底基板或背离所述衬底基板一侧的栅极层，位于所述有源层远离所述衬底基板一侧的层间介质层以及位于所述层间介质层背离所述衬底基板一侧的源、漏极层，其中：所述层间介质层上设有延伸至所述有源层的过孔，所述源、漏极层通过所述过孔与所述有源层连接；其特征在于，

沿所述有源层指向所述源、漏极方向，所述层间介质层被所述源、漏极层覆盖的部分包括：依次层叠设置的第一膜层、第二膜层、第三膜层以及第四膜层，所述层间介质层未被所述源、漏极覆盖的部分包括：依次层叠设置的第一膜层、第二膜层、第三膜层，其中所述第一膜层和所述第三膜层均包括氧化硅层，所述第二膜层和所述第四膜层均包括氮化硅层。

7.如权利要求6所示的阵列基板，其特征在于，所述第四膜层的厚度大于等于20纳米且小于等于80纳米。

8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层、所述第二膜层以及所述第三膜层的厚度大于等于80纳米且小于等于1000纳米。

9.如权利要求6～8任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极层位于所述有源层背离所述衬底基板的一侧，所述阵列基板还包括：

位于所述衬底基板与所述有源层之间的遮光层；

位于所述遮光层和所述有源层之间的缓冲层；

位于所述有源层和所述栅极层之间的栅极绝缘层；

位于所述源、漏极层上的平坦层；

位于所述平坦层上的第一电极层；

位于所述第一电极层上的钝化层，所述钝化层上设有延伸至源、漏极层的接触孔；

位于所述钝化层上的第二电极层，所述第二电极层通过所述接触孔与所述源、漏极层连接。