[发明专利]非易失性存储器设备、包括其的存储器系统及其操作方法有效
申请号: | 201710203098.4 | 申请日: | 2017-03-30 |
公开(公告)号: | CN107274922B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 姜大云;任政燉;郑秉勋;崔荣暾 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C7/10 | 分类号: | G11C7/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种非易失性存储器设备包括第一存储器结构。第一存储器结构包括可经由第一信道连接到外部存储器控制器的第一至第N存储器裸片。M是等于或大于2的自然数。第一至第N存储器裸片的至少一者被配置为用作在数据写入操作被对于第一至第N存储器裸片之一执行的同时执行裸片上端接(ODT)操作的第一代表性裸片。 | ||
搜索关键词: | 非易失性存储器 设备 包括 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
一种非易失性存储器设备,包括:第一存储器结构,其包括被配置为经由第一信道连接到外部存储器控制器的第一至第N存储器裸片,其中N是等于或大于2的自然数,所述第一至第N存储器裸片的至少一者被配置为用作第一代表性裸片,在数据写入操作被对于所述第一至第N存储器裸片之一执行的同时,所述第一代表性裸片执行裸片上端接(ODT)操作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710203098.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基准电压自训练的方法和电路以及存储器系统
- 下一篇:存储系统和存储器件