[发明专利]非易失性存储器设备、包括其的存储器系统及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201710203098.4 申请日: 2017-03-30
公开(公告)号: CN107274922B 公开(公告)日: 2022-07-05
发明(设计)人: 姜大云;任政燉;郑秉勋;崔荣暾 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 邵亚丽
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 非易失性存储器 设备 包括 存储器 系统 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种非易失性存储器设备,包括:

第一存储器结构,其包括被配置为经由第一信道连接到外部存储器控制器的第一至第N存储器裸片,其中N是等于或大于2的自然数,

所述第一至第N存储器裸片的至少一者被配置为用作第一代表性裸片,在数据写入操作被对于所述第一至第N存储器裸片中的另外一者而不是第一代表性裸片执行的同时,所述第一代表性裸片执行裸片上端接(ODT)操作,

其中,所述第一代表性裸片被配置为,如果数据写入命令被经由所述第一信道从所述外部存储器控制器接收到并且所述第一至第N存储器裸片中的所述另外一者是所述数据写入操作的目标裸片,则进入ODT模式以执行所述ODT操作而不是所述数据写入操作。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中

所述第一至第N存储器裸片被配置为共同从所述外部存储器控制器接收第一芯片使能信号,并且

所述第一存储器结构被配置为如果第一芯片使能信号被激活则执行所述数据写入操作和所述ODT操作。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中

所述第一至第N存储器裸片的每一者被配置为从所述外部存储器控制器接收第一至第N芯片使能信号的相应一者,

所述第一存储器结构被配置为,如果第K芯片使能信号被激活,则对第K存储器裸片执行所述数据写入操作,

K是等于或大于1并且等于或小于N的自然数,

所述第一存储器结构被配置为,如果第L芯片使能信号被激活,则执行所述ODT操作,

L是等于或大于1并且等于或小于N的自然数,

第L存储器裸片是所述第一至第N存储器裸片中被配置为用作所述第一代表性裸片的所述至少一者,并且

所述第L存储器裸片被配置为基于激活的第L芯片使能信号执行所述ODT操作。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中,所述第一代表性裸片被配置为,在所述数据写入操作被基于所述数据写入命令执行之后,在数据写入完成命令被经由所述第一信道从所述外部存储器控制器接收到时,退出所述ODT模式。

5.如权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中

所述第一至第N存储器裸片被配置为共同从所述外部存储器控制器接收第一ODT控制信号,并且

所述第一代表性裸片被配置为,当所述数据写入命令被经由所述第一信道从所述外部存储器控制器接收到时,并且当所述第一ODT控制信号被激活时,进入所述ODT模式并且执行所述ODT操作。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中,所述第一至第N存储器裸片顺序堆叠在彼此之上。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器设备,其中

所述第一至第N存储器裸片的每一者包括布置在每个存储器裸片的一侧附近的输入/输出(I/O)焊盘,

所述第一至第N存储器裸片堆叠成阶梯状,使得每个存储器芯片的I/O焊盘被暴露,并且

所述第一至第N存储器裸片经由所述I/O焊盘电连接到彼此。

8.如权利要求6所述的非易失性存储器设备,其中

所述第一至第N存储器裸片的每一者包括硅通孔(TSV),并且

所述第一至第N存储器裸片经由所述TSV电连接到彼此。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器设备,其中,所述第一代表性裸片被配置为,在数据读取操作被对于所述第一至第N存储器裸片中的另外一者执行的同时,执行所述ODT操作。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器设备,还包括:

第二存储器结构,其包括经由所述第一信道连接到所述外部存储器控制器的第N+1至第2N存储器裸片,其中

所述第N+1至第2N存储器裸片的至少一者被配置为用作第二代表性裸片,所述第二代表性裸片在所述数据写入操作被执行的同时执行ODT操作。

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