[发明专利]非易失性存储器设备、包括其的存储器系统及其操作方法

说明书

一种非易失性存储器设备包括第一存储器结构。第一存储器结构包括可经由第一信道连接到外部存储器控制器的第一至第N存储器裸片。M是等于或大于2的自然数。第一至第N存储器裸片的至少一者被配置为用作在数据写入操作被对于第一至第N存储器裸片之一执行的同时执行裸片上端接(ODT)操作的第一代表性裸片。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年3月31日在韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请10-2016-0039139号的优先权，这里通过引用将该韩国专利申请的全部内容合并于此。

技术领域

示例实施例一般地涉及半导体存储器设备，更具体而言涉及非易失性存储器设备、包括非易失性存储器设备的存储器系统和操作非易失性存储器设备的方法。

背景技术

半导体存储器设备可包括用于向外部发送和/或从外部接收信号的输入/输出(input/output，I/O)缓冲器。因为反射由于阻抗失配而发生并且引起被发送/接收的信号中的噪声，半导体存储器设备可包括裸片上端接(on-die termination，ODT)电路，该电路提供具有用于阻抗匹配的端接电阻组件的信号传输线。ODT操作可利用端接电阻器减少(和/或防止)信号被反射以便改善信号完整性。研究者正在就高效控制ODT操作的技术开展各种研究项目。

发明内容

本公开的至少一个示例实施例提供了一种能够高效地执行ODT操作的非易失性存储器设备。

本公开的至少一个示例实施例提供了一种包括该非易失性存储器设备的存储器系统和一种操作该非易失性存储器设备的方法。

根据示例实施例，一种非易失性存储器设备包括第一存储器结构。第一存储器结构包括被配置为经由第一信道连接到外部存储器控制器的第一至第N存储器裸片，其中N是等于或大于2的自然数。第一至第N存储器裸片的至少一者被配置为用作在数据写入操作被对于第一至第N存储器裸片之一执行的同时执行裸片上端接(ODT)操作的第一代表性裸片。

根据示例实施例，一种存储器系统包括存储器控制器和被配置为受存储器控制器控制的第一非易失性存储器设备。第一非易失性存储器设备包括第一存储器结构。第一存储器结构包括经由第一信道连接到存储器控制器的第一至第N存储器裸片，其中N是等于或大于2的自然数。第一存储器结构中的第一至第N存储器裸片的至少一者被配置为用作在第一数据写入操作被对于第一存储器结构中的第一至第N存储器裸片之一执行的同时执行裸片上端接(ODT)操作的第一代表性裸片。

根据示例实施例，提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。该非易失性存储器设备包括第一存储器结构，该第一存储器结构包括被配置为经由第一信道连接到外部存储器控制器的第一至第N存储器裸片，其中N是等于或大于2的自然数。该方法包括对于第一至第N存储器裸片之一执行数据写入操作或数据读取操作，并且在数据写入操作或数据读取操作被执行的同时执行裸片上端接(ODT)操作。执行ODT操作包括使用第一至第N存储器裸片的至少一者作为第一代表性裸片来在数据写入操作或数据读取操作被执行的同时执行ODT操作。

根据示例实施例，一种存储器系统包括存储器控制器和包括第一存储器结构的第一非易失性存储器设备。第一存储器结构包括经由第一信道连接到存储器控制器的第一至第N存储器裸片，其中N是等于或大于2的自然数。第一存储器结构中的第一至第N存储器裸片的一者被配置为用作在第一数据操作被对于第一至第N存储器裸片中的另一者执行的同时执行裸片上端接(ODT)操作的第一代表性裸片。第一数据操作包括第一数据写入操作和第一数据读取操作之一。