[发明专利]半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件及其制作方法。半导体元件包含具有存储器单元区以及周边区的半导体基底、设置于周边区内的栅极线、覆盖于栅极线与半导体基底上的蚀刻停止层、覆盖于蚀刻停止层上的第一绝缘层、两个设置于周边区内的半导体基底上的接触插塞、两个分别设置于各接触插塞上的接垫，以及设置于接垫之间的第二绝缘层。接触插塞分别位于栅极线的两侧，且接触插塞贯穿蚀刻停止层与第一绝缘层，以与半导体基底接触。第二绝缘层不与蚀刻停止层相接触。

主权项

1.一种半导体元件，包括：半导体基底，具有一存储器单元区以及一周边区；栅极线，设置于该周边区内的该半导体基底上；蚀刻停止层，覆盖于该栅极线与该周边区内的该半导体基底上；第一绝缘层，覆盖于该蚀刻停止层上；两接触插塞，设置于该周边区内的该半导体基底上，并分别位于该栅极线的两侧，且该两个接触插塞贯穿该蚀刻停止层与该绝缘层，以与该半导体基底接触；两接垫，分别设置于各该接触插塞上；以及第二绝缘层，设置于该两个接垫之间，且该第二绝缘层不与该蚀刻停止层相接触。