[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件的制作方法，包括：

提供一半导体结构，其中该半导体结构包括一半导体基底、一位线结构、一第一间隙壁、一牺牲间隙壁、一存储节点接触以及一绝缘图案，该位线结构、该第一间隙壁、该牺牲间隙壁、该存储节点接触以及该绝缘图案设置于该半导体基底上，该位线结构沿着一第一方向延伸，该第一间隙壁设置于该牺牲间隙壁与该位线结构之间，且该牺牲间隙壁设置于该第一间隙壁与该存储节点接触之间以及该第一间隙壁与该绝缘图案之间；

在该半导体结构上覆盖一导电层；

图案化该导电层，以形成一导电图案，该导电图案沿着第二方向延伸并横跨该位线结构，且覆盖于同一行的该存储节点接触的整体上，并暴露出该绝缘图案以及一部分的该牺牲间隙壁；

移除该牺牲间隙壁，以于该存储节点接触与该第一间隙壁之间以及该绝缘图案与该第一间隙壁之间形成一空气间隙；以及

形成空气间隙之后，图案化该导电图案，以于该存储节点接触上形成一存储节点接垫。

2.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该半导体结构还包括一字符线结构，沿着一第二方向埋入该半导体基底中。

3.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，还包括于形成该空气间隙之后于该导电图案以及该位线结构上覆盖一图案转移层。

4.如权利要求3所述的半导体元件的制作方法，还包括：

在形成该图案转移层之后，在该图案转移层上形成一掩模图案，其中该掩模图案包括一条状图案，沿着该第一方向延伸，并对应该存储节点接触以及该绝缘图案；以及

将该掩模图案转移至该图案转移层，以形成一转移图案，并暴露出该位线结构上的该导电图案。

5.如权利要求4所述的半导体元件的制作方法，其中图案化该导电图案包括进行一蚀刻制作工艺，同时蚀刻该转移图案以及该导电图案，以移除位于该位线结构上的该导电图案，并留下位于该存储节点接触上的该导电图案。

6.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该半导体基底具有一存储器单元区以及一周边区，且该半导体结构还包括：

栅极线，设置于该周边区内的该半导体基底上；

蚀刻停止层，覆盖于该栅极线与该周边区内的该半导体基底上；

第一绝缘层，覆盖于该蚀刻停止层上；以及

两接触插塞，设置于该周边区内的该半导体基底上，并位于该栅极线的两侧，且该两接触插塞贯穿该蚀刻停止层与该第一绝缘层，以与该半导体基底接触，其中覆盖该导电层包括于该第一绝缘层与该两接触插塞上覆盖该导电层。

7.如权利要求6所述的半导体元件的制作方法，其中图案化该导电层还包括于各该接触插塞上分别形成一接垫。

8.如权利要求7所述的半导体元件的制作方法，其中图案化该导电层还包括于两个该接垫之间形成一开口，该开口暴露出该第一绝缘层。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制作方法，还包括于图案化该导电图案之后，在该开口中形成一第二绝缘层，其中该第二绝缘层不与该蚀刻停止层相接触。

10.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该半导体结构还包括第二间隙壁，该第二间隙壁设置于该牺牲间隙壁与该存储节点接触之间以及该牺牲间隙壁与该绝缘图案之间。

11.如权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该第一间隙壁包括氮化硅，该牺牲间隙壁包括氧化硅，且该导电层包括钨。