[发明专利]功率半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710184014.7 | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106952945A | 公开（公告）日： | 2017-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李学会 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件的制造方法包括进行源区注入的步骤，所述进行源区注入的步骤中的源区光刻胶包括第一结构和第二结构，所述第一结构由多个朝第一方向延伸、沿第二方向排列的图案组成，所述第二结构沿所述第二方向延伸从而连接各所述图案，所述第一方向为所述功率半导体器件栅极之间的间距方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。本发明能大幅地增大器件的雪崩耐量。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件，所述功率半导体器件的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源区、所述阱区上方的栅极、以及所述阱区上与所述阱区和源区连接的源极金属，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述阱区包括表面的第一结构和表面的第二结构，所述第一结构由多个朝第一方向延伸、沿第二方向排列的图案组成，所述第二结构沿所述第二方向延伸从而连接各所述图案，所述第一方向为所述栅极之间的间距方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第二结构与所述源极金属直接接触。
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