[发明专利]功率半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，所述功率半导体器件的元胞结构包括第一导电类型的衬底、所述衬底上的第二导电类型的阱区、所述阱区内的第一导电类型的源区、所述阱区上方的栅极、以及所述阱区上与所述阱区和源区连接的源极金属，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；其特征在于，所述阱区包括表面的第一结构和表面的第二结构，所述第一结构由多个朝第一方向延伸、沿第二方向排列的图案组成，所述第二结构沿所述第二方向延伸从而连接各所述图案，所述第一方向为所述栅极之间的间距方向，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第二结构与所述源极金属直接接触。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一结构由多个相互平行、沿第二方向排列的矩形组成，所述矩形的一组对边朝所述第一方向延伸，另一组对边朝所述第二方向延伸。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第二结构在所述第一方向上的宽度小于所述源极金属在所述第一方向上的宽度。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，还包括形成于所述衬底上的第一导电类型的漂移区，所述阱区形成于所述漂移区内。

6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述功率半导体器件是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管。

7.一种功率半导体器件的制造方法，包括进行源区注入的步骤，其特征在于，所述进行源区注入的步骤中的源区光刻胶包括第一结构和第二结构，所述第一结构由多个朝第一方向延伸、沿第二方向排列的图案组成，所述第二结构沿所述第二方向延伸从而连接各所述图案，所述第一方向为所述功率半导体器件栅极之间的间距方向，所述第二方向垂直于所述第一方向。

8.根据权利要求7所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一结构由多个相互平行、沿第二方向排列的矩形组成，所述矩形的一组对边朝所述第一方向延伸，另一组对边朝所述第二方向延伸。

9.根据权利要求7所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于，所述进行源区注入的步骤之后还包括光刻和刻蚀接触孔的步骤，所述第二结构在晶圆表面的正投影位于刻蚀出的接触孔在晶圆表面的正投影内。

10.根据权利要求7所述的功率半导体器件的制造方法，其特征在于，所述功率半导体器件是垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管或绝缘栅双极型晶体管。