[发明专利]一种核辐射探测灵敏度放大器有效

专利信息
申请号: 201710181571.3 申请日: 2017-03-24
公开(公告)号: CN106908827B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 魏清阳;谷宇;王振鹏;戴甜甜 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: G01T1/16 分类号: G01T1/16;G01T7/00
代理公司: 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 代理人: 张仲波
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种可用在CCD/CMOS摄像头的核辐射探测灵敏度放大器,属于核辐射探测技术领域。放大器包括:高密度放大器主体、遮光盖、固定夹、防光密封垫圈。高密度放大器主体用于使本来入射到CCD/CMOS传感器周围无法探测到的射线与高密度放大器主体发生物理作用,产生散射粒子和次级粒子,并使上述散射的粒子和次级粒子有一定概率入射到CCD/CMOS传感器上;遮光盖和防光密封垫圈分别位于高密度放大器主体的上开口处和底部,用于阻挡可见光进入摄像头;可拆卸式的固定夹用来将核辐射探测灵敏度放大器固定在摄像头位置,亦可拆掉固定夹,将核辐射探测灵敏度放大器粘在镜头处使用。本发明放大器构造简单,成本低廉,使用便捷,重复性好,能长期稳定工作;核辐射探测灵敏度放大器配合理想的辐射提取算法,能有效提高摄像头对核辐射探测的效率及精度,减少辐射源长期暴露所带来的危害。
搜索关键词: 一种 核辐射 探测 灵敏度 放大器
【主权项】:
1.一种核辐射探测灵敏度放大器,其特征在于,所述核辐射探测灵敏度放大器包括:高密度放大器主体、遮光盖、固定夹、防光密封垫圈;其中,所述高密度放大器主体用于防止入射的X/γ射线的直接透射,使本来入射到CCD/CMOS传感器周围无法探测到的射线与高密度放大器主体发生物理作用,产生散射粒子和次级粒子,并使上述散射的粒子和次级粒子有一定概率入射到CCD/CMOS传感器上;所述高密度放大器主体上开口处大于下开口处,且均大于CCD/CMOS传感器的大小;所述遮光盖位于高密度放大器主体的上开口处,用于阻挡可见光在高密度放大器主体的上开口处进入摄像头,目的是将摄像头置于遮光环境中;所述遮光盖为可拆卸式,配合不同的辐射探测算法,使摄像头在遮光与非遮光情况下均能发挥辐射探测的作用;所述固定夹为塑料或金属材质,用来将核辐射探测灵敏度放大器固定在摄像头位置;对于大型设备,可拆掉固定夹,将核辐射探测灵敏度放大器粘在镜头处使用;所述防光密封垫圈位于高密度放大器主体底部,用于防止核辐射探测灵敏度放大器与摄像头的接触缝隙中进入可见光,使遮光盖、高密度放大器主体、防光密封垫圈和摄像头组成一个封闭遮光的系统。
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