[发明专利]一种核辐射探测灵敏度放大器

权利要求书

1.一种核辐射探测灵敏度放大器，其特征在于，所述核辐射探测灵敏度放大器包括：高密度放大器主体、遮光盖、固定夹、防光密封垫圈；其中，

所述高密度放大器主体用于防止入射的X/γ射线的直接透射，使本来入射到CCD/CMOS传感器周围无法探测到的射线与高密度放大器主体发生物理作用，产生散射粒子和次级粒子，并使上述散射的粒子和次级粒子有一定概率入射到CCD/CMOS传感器上；

所述高密度放大器主体上开口处大于下开口处，且均大于CCD/CMOS传感器的大小；

所述遮光盖位于高密度放大器主体的上开口处，用于阻挡可见光在高密度放大器主体的上开口处进入摄像头,目的是将摄像头置于遮光环境中；

所述遮光盖为可拆卸式，配合不同的辐射探测算法，使摄像头在遮光与非遮光情况下均能发挥辐射探测的作用；

所述固定夹为塑料或金属材质，用来将核辐射探测灵敏度放大器固定在摄像头位置；对于大型设备，可拆掉固定夹，将核辐射探测灵敏度放大器粘在镜头处使用；

所述防光密封垫圈位于高密度放大器主体底部，用于防止核辐射探测灵敏度放大器与摄像头的接触缝隙中进入可见光,使遮光盖、高密度放大器主体、防光密封垫圈和摄像头组成一个封闭遮光的系统。

2.根据权利要求1核辐射探测灵敏度放大器，其特征在于，所述的物理作用包括:康普顿散射、瑞利散射、光电效应和电子对效应；所述的次级粒子包括特征X射线、电子对效应产生的511keV射线。

3.根据权利要求1所述的核辐射探测灵敏度放大器，其特征在于，所述高密度放大器主体为有特定厚度的圆环或圆锥结构，材质为钨、铅、铁、钢、铝、锗中的一种。

4.根据权利要求1所述的核辐射探测灵敏度放大器，其特征在于，所述核辐射探测灵敏度放大器能配合装有CCD/CMOS图像传感器的电子设备使用，或设计专用CCD/CMOS传感电路。

5.根据权利要求1所述的核辐射探测灵敏度放大器，其特征在于，配合在手机、电脑、平板电脑终端或自制设备中的辐射提取算法，处理装备核辐射探测灵敏度放大器的设备采集到的数据，得到辐射信息,并根据不同方向时辐射信息的差别确定辐射源的方向。

6.根据权利要求5所述的核辐射探测灵敏度放大器，其特征在于，所述的辐射提取算法能根据所述辐射源方向，通过人、车、船、潜航器或无人机，寻找辐射源。