[发明专利]一种核辐射探测灵敏度放大器

说明书

一种可用在CCD/CMOS摄像头的核辐射探测灵敏度放大器，属于核辐射探测技术领域。放大器包括：高密度放大器主体、遮光盖、固定夹、防光密封垫圈。高密度放大器主体用于使本来入射到CCD/CMOS传感器周围无法探测到的射线与高密度放大器主体发生物理作用，产生散射粒子和次级粒子，并使上述散射的粒子和次级粒子有一定概率入射到CCD/CMOS传感器上；遮光盖和防光密封垫圈分别位于高密度放大器主体的上开口处和底部，用于阻挡可见光进入摄像头；可拆卸式的固定夹用来将核辐射探测灵敏度放大器固定在摄像头位置，亦可拆掉固定夹，将核辐射探测灵敏度放大器粘在镜头处使用。本发明放大器构造简单，成本低廉，使用便捷，重复性好，能长期稳定工作；核辐射探测灵敏度放大器配合理想的辐射提取算法,能有效提高摄像头对核辐射探测的效率及精度，减少辐射源长期暴露所带来的危害。

技术领域

本发明属于核辐射探测技术领域，具体涉及一种核辐射探测灵敏度放大器。

背景技术

自人类发现了放射性物质以来，就一直致力于将射线应用在工业、农业、医学、资源、环境、军事等各个方面，如无损探伤、放射治疗、辐射处理，在改善人类生活方面发挥了重要的作用。然而由于监管不严格或相关操作失误等问题，放射源丢失、辐射暴露事件也时有发生，威胁着公众安全。就放射源本身而言，由于能量高，可以造成电离辐射，引起细胞的病变或破坏细胞组织，从而对人体造成伤害。因此，放射源的合理保存非常重要。当放射源发生丢失、泄露或被盗事件时，需要对放射源进行寻找、定位和相应处理。

现有技术中，可以通过遮光状态的CCD/CMOS图像传感器作为一种有效的辐射探测器，进行辐射信息的获取，引导寻源过程。不同设备内的CCD/CMOS图像传感器大小不一，核辐射粒子在不同传感器上产生作用的效果也不尽相同，使得此类传感器探测灵敏度低，甚至在低辐射环境下无法对辐射粒子进行探测。

在另一方面，单独的CCD/CMOS图像传感器作为辐射探测器时，能判别环境中核辐射存在情况，无法对放射源进行有效的方向定位，限制了CCD/CMOS图像传感器在核辐射探测方面的应用。

发明内容

本发明要解决的技术问题是普通监控摄像头在辐射探测时，灵敏度低甚至无法探测的问题，提出了一种提高监控摄像头探测辐射源灵敏度的新器件，降低辐射信息的探测成本，同时可以实现对辐射源快速定位，减少寻源过程中对寻源工作人员身体的伤害。

根据本发明的一个方面，提供了一种提高监控摄像头探测辐射源灵敏度的新器件，所述系统包括：高密度放大器主体、遮光盖、固定夹、防光密封垫圈；其中，

所述核辐射探测灵敏度放大器可在装有CCD/CMOS图像传感器的电子设备上使用，也可为其设计的专用CCD/CMOS传感电路；

所述高密度放大器主体用于防止入射的X/γ射线的直接透射，使本来入射到CCD/CMOS传感器周围无法探测到的射线与高密度放大器主体发生物理作用，产生散射粒子和次级粒子，并使上述散射的粒子和次级粒子有一定概率入射到CCD/CMOS传感器上；

上述方案中，所述高密度放大器主体材质为钨、铅、铁、钢、铝、锗中的一种。

上述方案中，所述高密度放大器主体为有预定厚度的圆环或圆锥形结构。

上述方案中，所述高密度放大器主体上开口处大于下开口处，且均大于CCD/CMOS传感器的大小，高密度放大器主体内侧为散射面；

所述高密度放大器主体可与本设计中的其他配件组成核辐射探测灵敏度放大器使用，亦可单独装在摄像头内部的图像传感器周围,作为摄像头的功能配件单独使用；

所述遮光盖位于高密度放大器主体的上开口处，用于阻挡可见光在高密度放大器主体的上开口处进入摄像头,目的是将摄像头置于遮光环境中。

上述方案中，所述遮光盖为可拆卸形式，配合不同的辐射探测算法，使摄像头在遮光与非遮光情况下均能发挥辐射探测作用；