[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710181508.X | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN106992213A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 谢华飞 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 钟子敏 |
| 地址： | 518006 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法。所述方法包括将含有碳量子点的量子点墨水沉积在源极和漏极之间的沟道区中；在量子点墨水干燥后，对干燥后的量子点墨水进行清洗与吹干处理，使得碳量子点成膜为薄膜晶体管的有源层。基于此，本发明能够简化薄膜晶体管的制造工艺，提高生产效率，降低生产成本，并提高其控制灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基材上形成间隔设置的源极和漏极，且所述源极和所述漏极之间形成沟道区；将含有碳量子点的量子点墨水沉积在所述沟道区中；在所述量子点墨水干燥后，对干燥后的量子点墨水进行清洗与吹干处理，使得所述碳量子点成膜为薄膜晶体管的有源层。
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