[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

随着科技的发展和社会的进步，人们对于信息存储、传递及其处理的依赖程度日益增加。而半导体器件和工艺技术作为信息的存储、传递及其处理的主要载体和物质基础，现已成为众多科学家争相研究的热点。薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)，作为一种非常重要的半导体器件已被业界普遍采用。然而，现有薄膜晶体管一般为基于微电子硅工艺的半导体器件，其有源层需要涂布光阻、曝光、显影、刻蚀等多道工艺制得，制造工艺复杂，从而影响生产效率，使得生产成本居高不下。并且，随着人们对高性能薄膜晶体管要求的逐步提升，基于微电子硅工艺的薄膜晶体管已难以满足当今信息社会对高灵敏度的需求。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，能够简化制造工艺，提高生产效率，降低生产成本，并提高控制灵敏度。

本发明一实施例的薄膜晶体管的制造方法，包括：

在衬底基材上形成间隔设置的源极和漏极，且所述源极和所述漏极之间形成沟道区；

将含有碳量子点的量子点墨水沉积在沟道区中；

在所述量子点墨水干燥后，对干燥后的量子点墨水进行清洗与吹干处理，使得所述碳量子点成膜为薄膜晶体管的有源层。

本发明一实施例的薄膜晶体管，包括：

位于衬底基材上的源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置且两者之间形成沟道区；

位于所述沟道区中的有源层，所述有源层包括碳量子点膜。

通过上述方案，本发明将含有碳量子点的量子点墨水沉积在源极和漏极之间的沟道区中，并经过干燥、清洗与吹干处理得到有源层，无需涂布光阻、曝光、显影、刻蚀等多道工艺即可制得有源层，因此能够简化薄膜晶体管的制造工艺，提高生产效率，降低生产成本，并且有源层充分利用碳量子点的良好的电学性能，能够提高其控制灵敏度。

附图说明

图1是本发明的薄膜晶体管的制造方法一实施例的流程示意图；

图2是基于图1所示方法在衬底基材上形成薄膜晶体管的示意图；

图3是本发明的薄膜晶体管的制造方法另一实施例的流程示意图；

图4是基于图3所示方法在衬底基材上形成薄膜晶体管的示意图。

具体实施方式

本发明其中一个主要目的是通过量子点墨水制得薄膜晶体管的有源层，具体地，可以将含有量子点的量子点墨水沉积在源极和漏极之间的沟道区中，并经过干燥、清洗与吹干处理得到有源层。该有源层既可以用于顶栅型薄膜晶体管，也可以用于底栅型薄膜晶体管。

下面结合附图对本发明的各个实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。在不冲突的情况下，下述各个实施例的特征可相互组合。

请参阅图1，为本发明一实施例的薄膜晶体管的制造方法。所述薄膜晶体管的制造方法可以包括以下步骤S11～S17。

S11：通过纳米压印工艺在衬底基材上形成间隔设置的第一凹槽和第二凹槽。

请参阅图2，纳米压印工艺是一种在纳米级尺度的图案化工艺，其通过光刻可在衬底基材20上形成第一凹槽211和第二凹槽212。其中，衬底基材20包括但不限于PET(Polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸乙二醇酯)基材、(Polyimide,聚酰亚胺)基材。

S12：在第一凹槽和第二凹槽中分别填入导电浆料以得到电极基底。

导电浆料包括但不限于导电银浆、导电铜浆、导电铝浆等，其固化形成的电极基底22用于提高源极221和漏极222与衬底基材20的胶接强度。例如，金属材质的源极221和漏极222与塑料材质的衬底基材20的结合效果并不理想，而导电浆料固化后得到的电极基底22对金属和塑料都具有良好的结合效果。

S13：通过刷镀工艺在电极基底上形成源极和漏极，且所述源极和漏极之间形成沟道区。

本实施例可以将衬底基材20连接阴极，浸有镀液的镀笔作阳极，镀液在直流电场作用下发生电解反应，镀液中的金属离子得到电子后沉积在衬底基材20表面。在刷镀过程中，通过控制镀笔在第一凹槽211和第二凹槽212中相对电极基底22运动，即可在两个凹槽的电极基底22上分别形成一定厚度的金属层。其中，第一凹槽211中的金属层为源极221，第二凹槽212中的金属层为漏极222。源极221和漏极222之间限定了薄膜晶体管的沟道区223。