[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基材上形成间隔设置的源极和漏极，且所述源极和所述漏极之间形成沟道区；

将含有碳量子点的量子点墨水沉积在所述沟道区中；

在所述量子点墨水干燥后，对干燥后的量子点墨水进行清洗与吹干处理，使得所述碳量子点成膜为薄膜晶体管的有源层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在衬底基材上形成间隔设置的源极和漏极，包括：

通过纳米压印工艺在衬底基材上形成间隔设置的第一凹槽和第二凹槽；

通过刷镀工艺在所述第一凹槽和第二凹槽中分别形成源极和漏极；

在所述碳量子点成膜为薄膜晶体管的有源层之后，所述方法包括：

通过旋涂成膜工艺形成覆盖有源层、源极和漏极的绝缘层；

通过喷涂打印工艺在所述绝缘层上形成栅极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通过刷镀工艺在所述第一凹槽和第二凹槽中分别形成源极和漏极，包括：

在所述第一凹槽和第二凹槽中分别填入导电浆料以得到电极基底；

在所述电极基底上形成源极和漏极。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在衬底基材上形成间隔设置的源极和漏极之前，所述方法包括：

通过纳米压印工艺在衬底基材上形成凹槽，所述凹槽包括上下导通的第一区域和第二区域，所述第二区域在所述衬底基材上的正投影落于所述第一区域在所述衬底基材上的正投影之内；

通过喷涂打印工艺在所述凹槽的第二区域中形成栅极；

通过旋涂成膜工艺在所述凹槽的第一区域中形成绝缘层；

在衬底基材上形成间隔设置的源极和漏极，包括：

在所述绝缘层上形成间隔设置的源极和漏极。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，通过喷涂打印工艺在所述凹槽的第二区域中形成栅极，包括：

在所述凹槽的第二区域中填入导电浆料以得到电极基底；

通过喷涂打印工艺在所述电极基底上形成栅极。

6.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

位于衬底基材上的源极和漏极，所述源极和所述漏极间隔设置且两者之间形成沟道区；

位于所述沟道区中的有源层，所述有源层包括碳量子点膜。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括依次形成于有源层上方的绝缘层和栅极，其中，衬底基材开设有间隔设置的第一凹槽和第二凹槽，源极和漏极分别位于所述第一凹槽和第二凹槽中，所述绝缘层覆盖于有源层、源极和漏极上方。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括形成于所述第一凹槽和第二凹槽中的电极基底，所述源极和漏极分别位于所述电极基底上。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括依次形成于有源层下方的绝缘层和栅极，其中，衬底基材开设有凹槽，所述凹槽包括上下导通的第一区域和第二区域，所述第二区域在衬底基材上的正投影落于所述第一区域在衬底基材上的正投影之内，所述栅极位于所述第二区域中，所述绝缘层位于所述第一区域中。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括形成于所述第一区域中的电极基底，所述栅极位于所述电极基底上。