[发明专利]被布置成行和列的静态随机存取存储器SRAM单元的阵列有效
| 申请号： | 201710160253.9 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN107204202B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 藤原英弘;廖宏仁;潘显裕;陈炎辉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭示提供被布置成行和列的静态随机存取存储器SRAM单元的阵列。第一通信路径被放置在与所述阵列的边缘相距第一距离处且可经操作以控制对所述阵列的第一行的SRAM单元的存取以供写入操作。第二通信路径被放置在与所述阵列的所述边缘相距第二距离处且可经操作以控制对所述阵列的第二行的SRAM单元的存取以供写入操作。所述第二距离不同于所述第一距离。第一导电结构被放置在与所述阵列的所述边缘相距第三距离处且可经操作以控制对所述第一行的所述SRAM单元的存取以供读取操作。第二导电结构被放置在与所述阵列的所述边缘相距所述第三距离处且可经操作以控制对所述第二行的所述SRAM单元的存取以供读取操作。 | ||
| 搜索关键词： | 布置 成行 静态 随机存取存储器 sram 单元 阵列 | ||
【主权项】：
一种被布置成行和列的静态随机存取存储器SRAM单元的阵列，所述阵列包括：第一通信路径，其被放置在与所述阵列的边缘相距第一距离处且可经操作以控制对所述阵列的第一行的SRAM单元的存取以供写入操作；第二通信路径，其被放置在与所述阵列的所述边缘相距第二距离处且可经操作以控制对所述阵列的第二行的SRAM单元的存取以供写入操作，所述第二距离不同于所述第一距离；第一导电结构，其被放置在与所述阵列的所述边缘相距第三距离处且可经操作以控制对所述第一行的所述SRAM单元的存取以供读取操作；以及第二导电结构，其被放置在与所述阵列的所述边缘相距所述第三距离处且可经操作以控制对所述第二行的所述SRAM单元的存取以供读取操作。
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