[发明专利]具有ESD保护元件的半导体装置有效
| 申请号： | 201710160085.3 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN107204328B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 吉野英生 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供具有ESD保护元件的半导体装置。半导体装置具有由使用了NMOS的截止晶体管构成的ESD保护元件，ESD保护元件在漏有源区域(105)内具有N型漏区域(102)和P型漏区域(103)，P型漏区域(103)的电位被设成P阱或P型半导体衬底(106)的电位，漏有源区域(105)内的PN结的结耐压为ESD保护元件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 esd 保护 元件 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种具有ESD保护元件的半导体装置，其特征在于，所述具有ESD保护元件的半导体装置具有规定的动作电压和内部电路区域内的元件，所述ESD保护元件由设置于P阱或P型半导体衬底的N型MOS晶体管构成，所述N型MOS晶体管的栅电极与所述P阱或所述P型半导体衬底连接，以成为作为所述P阱的电位的阱电位或作为所述P型半导体衬底的电位的地电位，在所述N型MOS晶体管的漏有源区域内相邻地配置有N型高浓度漏区域和P型漏区域，构成PN结，所述P型漏区域的电位是所述P阱或所述P型半导体衬底的电位，所述ESD保护元件的耐压是所述漏有源区域内的所述PN结的结耐压。
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