[发明专利]具有ESD保护元件的半导体装置有效
| 申请号： | 201710160085.3 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN107204328B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 吉野英生 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 esd 保护 元件 半导体 装置 | ||
1.一种具有ESD保护元件的半导体装置，其特征在于，
所述具有ESD保护元件的半导体装置具有规定的动作电压和内部电路区域内的元件，
所述ESD保护元件由设置于P阱或P型半导体衬底的N型MOS晶体管构成，
所述N型MOS晶体管的栅电极与所述P阱或所述P型半导体衬底连接，以成为作为所述P阱的电位的阱电位或作为所述P型半导体衬底的电位的地电位，
在所述N型MOS晶体管的漏有源区域内相邻地配置有N型高浓度漏区域和P型漏区域，构成PN结，
所述P型漏区域在不与所述漏有源区域的W方向的两侧的端部相接的区域，从所述栅电极的缘设置至与所述栅电极对置配置的所述漏有源区域的另外的端部，其中所述W方向是所述漏有源区域的沟道宽度方向，
所述P型漏区域的电位是所述P阱或所述P型半导体衬底的电位，
所述ESD保护元件的耐压是所述漏有源区域内的所述PN结的结耐压。
2.一种具有ESD保护元件的半导体装置，其特征在于，
所述具有ESD保护元件的半导体装置具有规定的动作电压和内部电路区域内的元件，
所述ESD保护元件由设置于P阱或P型半导体衬底的N型MOS晶体管构成，
所述N型MOS晶体管的栅电极与所述P阱或所述P型半导体衬底连接，以成为作为所述P阱的电位的阱电位或作为所述P型半导体衬底的电位的地电位，
在所述N型MOS晶体管的漏有源区域内相邻地配置有N型高浓度漏区域和P型漏区域，构成PN结，
所述P型漏区域从所述漏有源区域的W方向的一方的端部延伸至另一方的端部且沿着所述栅电极的缘设置，其中所述W方向是所述漏有源区域的沟道宽度方向，
所述P型漏区域的电位是所述P阱或所述P型半导体衬底的电位，
所述ESD保护元件的耐压是所述漏有源区域内的所述PN结的结耐压。
3.一种具有ESD保护元件的半导体装置，其特征在于，
所述具有ESD保护元件的半导体装置具有规定的动作电压和内部电路区域内的元件，
所述ESD保护元件由设置于P阱或P型半导体衬底的N型MOS晶体管构成，
所述N型MOS晶体管的栅电极与所述P阱或所述P型半导体衬底连接，以成为作为所述P阱的电位的阱电位或作为所述P型半导体衬底的电位的地电位，
在所述N型MOS晶体管的漏有源区域内相邻地配置有N型高浓度漏区域和P型漏区域，构成PN结，
所述N型高浓度漏区域的周围全被所述P型漏区域包围，
所述P型漏区域的电位是所述P阱或所述P型半导体衬底的电位，
所述ESD保护元件的耐压是所述漏有源区域内的所述PN结的结耐压。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾普凌科有限公司，未经艾普凌科有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710160085.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种瓶盖垫片机理料装置
- 下一篇：一种用于硝酸钾生产的输送装置
