[发明专利]一种改进型忆阻蔡氏混沌电路在审
| 申请号： | 201710159958.9 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106921483A | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 徐权;宋哲;张琴玲 | 申请（专利权）人： | 常州大学 |
| 主分类号： | H04L9/00 | 分类号： | H04L9/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213164 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进型忆阻蔡氏混沌电路，包括由运算放大器U和三个电阻R1，R2，R3构成的简化蔡氏二极管；电容C1，C2；电感L1；二极管桥广义忆阻M。忆阻M由二极管桥、电感L2及R0等效实现。其中电容C1的正极端与忆阻M负极端相连(记做1端)，电容C1的负极端与电容C2的负极端负极端相连(记做1′端)；电容C2的正极端接忆阻M的正极端；运算放大器U同相输入端与1端连接，反相输入端接R3后与1′端连接；电感L1与C2并联；1′接地。电路可以产生双涡卷混沌吸引子,可为混沌保密通信、混沌雷达等工程领域的应用提供一种有效的混沌信号源。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进型 忆阻蔡氏 混沌 电路 | ||
【主权项】：
一种改进型忆阻蔡氏混沌电路，其特征在于：包括简化蔡氏二极管、忆阻M、电容C1、C2、电感L1；其中电容C1的正极端与忆阻M负极端相连(记做1端)，电容C1的负极端与电容C2的负极端负极端相连(记做1′端)，1′接地；电感L1与电容C2并联；蔡氏二极管的正负极分别与1端，1′端相连。
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