[发明专利]一种改进型忆阻蔡氏混沌电路

权利要求书

1.一种改进型忆阻蔡氏混沌电路，其特征在于：包括简化蔡氏二极管、忆阻M、电容C₁、C₂、电感L₁；其中电容C₁的正极端与忆阻M负极端相连(记做1端)，电容C₁的负极端与电容C₂的负极端负极端相连(记做1′端)，1′接地；电感L₁与电容C₂并联；蔡氏二极管的正负极分别与1端，1′端相连。

2.所述的一种改进型忆阻蔡氏混沌电路，其特征在于：所述的简化蔡氏二极管包括运算放大器U和三个电阻R₁，R₂，R₃，运算放大器U的正相输入端接于1端。电阻R₃的一端接地1′，另一端接在运算放大器U的反相输入端；电阻R₁的一端接运算放大器U的反相输入端，另一端接在运算放大器U的输出端；电阻R₂的一端接运算放大器U的正相输入端，另一端接在运算放大器U的输出端。

3.所述的一种改进型忆阻蔡氏混沌电路，其特征在于：所述的忆阻M包括电感L₂；二极管D₁，D₂，D₃，D₄构成的二极管桥；电阻R₀。二极管桥与电感L₂及R₀构成忆阻M。二极管D₁的负极与二极管D₄的正极相连记作a端，二极管D₁的正极与二极管D₂的正极相连记作b端，二极管D₂的负极与二极管D₃的正极相连记作c端，二极管D₃的负极与二极管D₄的负极相连记作d端，b端串联电感L₂，电阻R₀接到d端。

4.所述的一种改进型忆阻蔡氏混沌电路，其特征在于：含有四个状态变量，分别为电容C₁两端电压v₁，电容C₂端电压v₂，电感L₁的电流i₃，电感L₂的电流i₄。