[发明专利]在光刻中产生至少一个微粒屏蔽体的设备及光刻系统有效
| 申请号： | 201710156098.3 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN107527835B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 游秋山;陈庆跃;郑文豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种在光刻中用于产生至少一个微粒屏蔽体的设备及光刻系统。所述至少一个微粒屏蔽体包括第一部件及第二部件。所述第一部件及所述第二部件能够用于形成所述至少一个微粒屏蔽体中的第一微粒屏蔽体，以阻挡微粒接触物体的接近表面，所述第一微粒屏蔽体实质上平行于所述物体的所述接近表面并与所述物体的所述接近表面在实体上隔开，且所述第一微粒屏蔽体包括能量梯度力或速度梯度力。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 产生 至少 一个 微粒 屏蔽 设备 系统 | ||
【主权项】：
一种产生至少一个微粒屏蔽体的设备，其特征在于，包括：第一部件及第二部件，其中所述第一部件及所述第二部件能够用于形成至少一个微粒屏蔽体中的第一微粒屏蔽体，以阻挡微粒接触物体的接近表面，所述第一微粒屏蔽体实质上平行于所述物体的所述接近表面并与所述物体的所述接近表面在实体上隔开，且所述第一微粒屏蔽体包括能量梯度力或速度梯度力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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