[发明专利]在光刻中产生至少一个微粒屏蔽体的设备及光刻系统

说明书

本发明的实施例提供一种在光刻中用于产生至少一个微粒屏蔽体的设备及光刻系统。所述至少一个微粒屏蔽体包括第一部件及第二部件。所述第一部件及所述第二部件能够用于形成所述至少一个微粒屏蔽体中的第一微粒屏蔽体，以阻挡微粒接触物体的接近表面，所述第一微粒屏蔽体实质上平行于所述物体的所述接近表面并与所述物体的所述接近表面在实体上隔开，且所述第一微粒屏蔽体包括能量梯度力或速度梯度力。

技术领域

本发明的实施例涉及一种产生至少一个微粒屏蔽体的设备。

背景技术

半导体制造包括例如光刻、蚀刻、及扩散等各种工艺。已通过减小集成芯片的部件的几何大小而增大了功能密度。此种按比例缩减工艺提高了生产效率并降低了相关联的制造成本。自设备、光掩模、及晶片移除碎屑及副产物有助于提高生产良率。

在某些方法中，将例如去离子水等清洁溶剂喷雾在表面上以移除所述表面上所积聚的微粒。在某些方法中，在制造工艺期间在晶片运输/存储垫上安装固体屏蔽体。在某些方法中，通过例如标准机械界面(standard mechanical interface，SMIF)设备等密封式输入/输出工具自动地执行晶片的装载及卸载。在某些方法中，对工艺操作者的衣物进行清洁以减少因被引入至制造环境中的微粒而造成的污染。

发明内容

根据本发明的实施例，在光刻中产生多个微粒屏蔽体的设备包括第一部件及第二部件。所述第一部件及所述第二部件能够用于形成所述至少一个微粒屏蔽体中的第一微粒屏蔽体，以阻挡微粒接触物体的接近表面，其中所述第一部件包括第一气体喷射器，以及所述第二部件包括与所述第一气体喷射器对应的第一气体抽出器，其中所述第一气体喷射器被配置成吹出气体，藉此形成所述第一微粒屏蔽体，且其中所述第一气体抽出器被配置成与所述第一气体喷射器一起工作以为所述第一微粒屏蔽体提供气体压力梯度。

根据本发明的实施例，在光刻中产生至少一个微粒屏蔽体的设备，包括：第一部件及第二部件，其中所述第一部件及所述第二部件能够用于形成至少一个微粒屏蔽体中的第一微粒屏蔽体，以阻挡微粒接触物体的接近表面，其中所述第一微粒屏蔽体包括能量梯度力或速度梯度力；以及第三部件及第四部件，其中所述第三部件及所述第四部件能够用于形成所述至少一个微粒屏蔽体中的第二微粒屏蔽体，以阻挡微粒接触所述物体的所述接近表面，其中所述第二微粒屏蔽体包括能量梯度力或速度梯度力，其中所述第一部件包括第一气体喷射器，以及所述第二部件包括与所述第一气体喷射器对应的第一气体抽出器，其中所述第一气体喷射器被配置成吹出气体，藉此形成所述第一微粒屏蔽体，且其中所述第一气体抽出器被配置成与所述第一气体喷射器合作以为所述第一微粒屏蔽体提供气体压力梯度。

根据本发明的实施例，光刻系统，包括：狭缝；第一部件及第二部件，能够用于产生第一微粒屏蔽体，以阻挡微粒接触光掩模的接近表面；以及第三部件及第四部件，能够用于产生第二微粒屏蔽体，其中所述狭缝位于所述第一微粒屏蔽体与所述第二微粒屏蔽体之间，其中所述第一部件包括第一气体喷射器，以及所述第二部件包括与所述第一气体喷射器对应的第一气体抽出器，其中所述第一气体喷射器被配置成吹出气体，藉此形成所述第一微粒屏蔽体，且其中所述第一气体抽出器被配置成与所述第一气体喷射器合作以为所述第一微粒屏蔽体提供气体压力梯度。

附图说明

通过结合附图阅读以下具体实施方式，将会最佳地理解本公开的各个方面。需注意，根据行业中的标准惯例，各种特征并未按比例绘制。实际上，为清晰论述起见，可任意增大或减小所述各种特征的尺寸。

图1A是根据一或多个实施例的用于产生微粒屏蔽体的设备的俯视图；

图1B是根据一或多个实施例的用于产生微粒屏蔽体的设备沿图1A中的线B-B’截取的剖视图；

图1C是根据一或多个实施例的用于产生多个微粒屏蔽体的设备的俯视图；

图1D是根据一或多个实施例的用于产生微粒屏蔽体的设备的俯视图；