[发明专利]一种提高碳化硅H桥逆变器稳定性与降低损耗的方法

摘要

本发明公开了一种在SiC MOSFET单相H桥逆变器中加入铁氧体磁珠从而提高系统稳定性与降低损耗的方法，包括铁氧体磁珠的安放位置选择方法；铁氧体磁珠的数目选取方法。SiC MOSFET单相H桥电路包括直流电源、直流侧滤波电容、驱动信号产生电路、MOSFET开关管、铁氧体磁珠、负载电感。由于控制板输出信号的不可靠与系统寄生参数相互作用会使系统产生振荡，利用磁珠很高的电阻率和磁导率，高频电流在其中以热量形式散发的原理可以有效抑制振荡。通过本发明抑制了由于系统寄生参数的影响以及控制板输出信号的不可靠，在高速开关过程中出现的不稳定现象，获得了系统稳定性与损耗的较好权衡。

主权项

一种提高SiC MOSFET单相H桥逆变器稳定性与降低损耗的方法，其特征在于，该提高稳定性与降低损耗的方法包含有：选取铁氧体磁珠的最佳安放位置，使高频系统稳定性和损耗最优化；选取提高高频系统稳定性和降低损耗的铁氧体磁珠的最佳数目。