[发明专利]一种提高碳化硅H桥逆变器稳定性与降低损耗的方法在审
| 申请号： | 201710135294.2 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN106941325A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 戴鹏;石聪聪;谢后晴;周凯;孙伟男;张雷 | 申请（专利权）人： | 中国矿业大学 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H02M1/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221116 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 逆变器 稳定性 降低 损耗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高SiC MOSFET单相H桥逆变器稳定性与降低损耗的方法，其特征在于，该提高稳定性与降低损耗的方法包含有：
选取铁氧体磁珠的最佳安放位置，使高频系统稳定性和损耗最优化；
选取提高高频系统稳定性和降低损耗的铁氧体磁珠的最佳数目。
2.如权利要求1所述的铁氧体磁珠的最佳安放位置，其特征在于，包括：贴近SiC MOSFET漏极端。
3.如权利要求1所述的提高SiC MOSFET单相H桥逆变器稳定性和降低损耗的铁氧体磁珠的最佳数目，其特征在于，在一定的直流电压下，开关管的驱动波形没有高频振荡，即系统达到稳定时所得到的电路铁氧体磁珠数目即是最优解。
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