[发明专利]存储器结构及其制备方法、存储器的测试方法

摘要

本申请实施例公开了一种存储器结构及其制备方法，该存储器结构中，在CMOS芯片的正面形成有第一金属图案层。其中，存储器结构中的至少部分导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第一金属图案层上的金属图案之间形成电连接，从而使多个TAC通过所述导电凸块、第一通孔和第二通孔以及第一金属图案层上的金属图案按照特定方式连接形成测试TAC性能的测试结构。通过对该测试TAC性能的测试结构的测试，能够实现对TAC性能的测试。基于此，本申请实施例还公开了一种存储器结构的测试方法。

主权项

1.一种存储器结构，其特征在于，包括：上下相对放置的存储阵列芯片和CMOS芯片，其中，在所述存储阵列芯片的存储阵列区域形成有穿过所述存储阵列区域的连接TAC；在所述存储阵列芯片的正面形成有第一介电层，所述第一介电层内形成有多个第一通孔；在所述存储阵列芯片的背面形成有多个导电凸块；所述CMOS芯片的正面依次层叠形成有第一金属图案层和第二介电层，所述第二介电层内形成有多个第二通孔；所述第一介电层与所述第二介电层连接在一起；其中，至少部分所述导电凸块、所述TAC、所述第一通孔、所述第二通孔以及所述第一金属图案层上的金属图案之间形成电连接，从而使多个TAC通过所述导电凸块、第一通孔和第二通孔以及第一金属图案层上的金属图案按照特定方式连接形成测试TAC性能的测试结构。