[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效
申请号: | 201710133174.9 | 申请日: | 2017-03-08 |
公开(公告)号: | CN107204299B | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 石井齐 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/495 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的实施方式提供一种能够抑制引线的无用的变形的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤:对于引线框架,一边按压第1内引线,一边从引线框架的与形成着第1凹部的一面为相反侧的另一面将推压部件压抵到配线部而使其变形,以第1凹部为基点剪切第1内引线的延伸方向上的端部与配线部的连接部,并且使配线部从端部分离,所述引线框架包括第1引线、第2引线、及将第2内引线与第1内引线的延伸方向上的端部之间连接的配线部;且第1内引线的延伸方向上的端部与配线部之间的连接部在比宽度方向的端部更内侧的区域具有第1凹部。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于具备如下步骤:对于引线框架,一边按压第1内引线,一边从所述引线框架的与形成着第1凹部的一面为相反侧的另一面将推压部件压抵到配线部而使其变形,以所述第1凹部为基点剪切所述第1内引线的延伸方向上的端部与所述配线部的连接部,并且使所述配线部从所述端部分离,所述引线框架包括:第1引线,包含第1外引线及从所述第1外引线延伸的所述第1内引线;第2引线,包含第2外引线及从所述第2外引线延伸的第2内引线;所述配线部,将所述第2内引线与所述第1内引线的延伸方向上的端部之间连接;及支撑部,连接在所述第1外引线及所述第2外引线;且所述第1内引线的延伸方向上的端部与所述配线部之间的连接部在比宽度方向的端部更内侧的区域具有所述第1凹部;将包含第1电极垫与第2电极垫的半导体芯片经由粘着层而搭载于所述引线框架的所述另一面上;形成将所述第1电极垫与所述第1引线电连接的第1接合线、及将所述第2电极垫与所述第2引线电连接的第2接合线;形成将所述第1内引线、所述第2内引线、所述配线部、所述半导体芯片、所述第1接合线、及所述第2接合线密封的密封树脂层;将所述支撑部与所述第1外引线及所述第2外引线之间的连接部切断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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