[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710133174.9 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN107204299B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 石井齐 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/495
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【说明书】:

本发明的实施方式提供一种能够抑制引线的无用的变形的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤:对于引线框架,一边按压第1内引线,一边从引线框架的与形成着第1凹部的一面为相反侧的另一面将推压部件压抵到配线部而使其变形,以第1凹部为基点剪切第1内引线的延伸方向上的端部与配线部的连接部,并且使配线部从端部分离,所述引线框架包括第1引线、第2引线、及将第2内引线与第1内引线的延伸方向上的端部之间连接的配线部;且第1内引线的延伸方向上的端部与配线部之间的连接部在比宽度方向的端部更内侧的区域具有第1凹部。

[相关申请案]

本申请案享受以日本专利申请案2016-53321号(申请日:2016年3月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的所有内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法及半导体装置。

背景技术

在具备包含外引线及内引线的引线、及半导体芯片的半导体装置中,利用接合线而将半导体芯片的电极垫与内引线之间电连接。因此,电极垫与外引线之间的距离越长,则越必须使内引线较长地从外引线延伸到电极垫附近。

较长的内引线在半导体装置的制造过程中容易变形。如果内引线变形,那么例如存在半导体芯片容易从内引线剥离的情况,或在打线接合时在接合线与内引线之间产生连接不良的情况。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够抑制引线的无用的变形的半导体装置的制造方法及半导体装置。

实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤:对于引线框架,一边按压第1内引线,一边从引线框架的与形成着第1凹部的一面为相反侧的另一面将推压部件压抵到配线部而使其变形,以第1凹部为基点剪切第1内引线的延伸方向上的端部与配线部的连接部,并且使配线部从端部分离,所述引线框架包括:第1引线,包含第1外引线及从第1外引线延伸的第1内引线;第2引线,包含第2外引线及从第2外引线延伸的第2内引线;配线部,将第2内引线与第1内引线的延伸方向上的端部之间连接;及支撑部,连接在第1外引线及第2外引线;且第1内引线的延伸方向上的端部与配线部之间的连接部在比宽度方向的端部更内侧的区域具有第1凹部;将包含第1电极垫与第2电极垫的半导体芯片经由粘着层而搭载于引线框架的另一面上;形成将第1电极垫与第1引线电连接的第1接合线、及将第2电极垫与第2引线电连接的第2接合线;形成将第1内引线、第2内引线、配线部、半导体芯片、第1接合线、及第2接合线密封的密封树脂层;将支撑部与第1外引线及第2外引线之间的连接部切断。

附图说明

图1是表示引线框架的构造例的俯视示意图。

图2是表示引线框架的一部分的示意图。

图3是用来对引线框架加工步骤进行说明的剖视示意图。

图4是用来对引线框架加工步骤进行说明的剖视示意图。

图5是表示引线框架加工步骤后的引线框架的一部分的示意图。

图6是表示半导体装置的构造例的俯视示意图。

图7是表示半导体装置的一部分的俯视示意图。

图8是表示半导体装置的一部分的构造例的剖视示意图。

具体实施方式

以下,参照附图对实施方式进行说明。附图中记载的各构成要素的厚度与平面尺寸的关系、各构成要素的厚度的比例等存在与实物不同的情况。另外,在实施方式中,对实质上相同的构成要素标注相同的符号并适当省略说明。

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