[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710133174.9 申请日: 2017-03-08
公开(公告)号: CN107204299B 公开(公告)日: 2019-10-25
发明(设计)人: 石井齐 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60;H01L23/495
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于具备如下步骤:对于引线框架,一边按压第1内引线,一边从所述引线框架的与形成着第1凹部的一面为相反侧的另一面将推压部件压抵到配线部而使其变形,以所述第1凹部为基点剪切所述第1内引线的延伸方向上的端部与所述配线部的连接部,并且使所述配线部从所述端部分离,所述引线框架包括:第1引线,包含第1外引线及从所述第1外引线延伸的所述第1内引线;第2引线,包含第2外引线及从所述第2外引线延伸的第2内引线;所述配线部,将所述第2内引线与所述第1内引线的延伸方向上的端部之间连接;及支撑部,连接在所述第1外引线及所述第2外引线;且所述第1内引线的延伸方向上的端部与所述配线部之间的连接部在比宽度方向的端部更内侧的区域具有所述第1凹部;

将包含第1电极垫与第2电极垫的半导体芯片经由粘着层而搭载于所述引线框架的所述另一面上;

形成将所述第1电极垫与所述第1引线电连接的第1接合线、及将所述第2电极垫与所述第2引线电连接的第2接合线;

形成将所述第1内引线、所述第2内引线、所述配线部、所述半导体芯片、所述第1接合线、及所述第2接合线密封的密封树脂层;

将所述支撑部与所述第1外引线及所述第2外引线之间的连接部切断。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:所述推压部件是设置在将所述半导体芯片搭载于所述引线框架上的芯片接合装置的多个接合头之一。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:所述第2内引线与所述配线部之间的连接部具有深度小于所述第1凹部的第2凹部,且

在所述分离步骤中,所述配线部是以将所述第2凹部作为基点而与所述第1内引线的延伸方向上的端部分离的方式弯曲。

4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法,其特征在于:

所述第1内引线包含设置在所述另一面侧的第1镀层,

所述第2内引线包含设置在所述另一面侧的第2镀层,

所述第2凹部设置在所述一面侧,

第1接合线经由所述第1镀层而电连接于所述第1引线,且

第2接合线经由所述第2镀层而电连接于所述第2引线。

5.一种半导体装置,其特征在于包括:

第1引线,包含第1外引线及从所述第1外引线延伸的第1内引线;

第2引线,包含第2外引线及从所述第2外引线延伸的第2内引线;

配线部,包含连接于所述第2内引线的一部分的第1端部、及与所述第1内引线的延伸方向上的端部相邻的第2端部,且所述第2端部以在所述第2内引线的包含厚度方向的截面上与所述第1内引线的延伸方向上的端部分离的方式向规定方向弯曲;

半导体芯片,具有第1电极垫及第2电极垫,且经由粘着层而搭载于所述第1及所述第2内引线的至少一个的与所述规定方向为相反侧的面的至少一部分之上;

第1接合线,将所述第1引线与所述第1电极垫之间电连接;

第2接合线,将所述第2引线与所述第2电极垫之间电连接;及

密封树脂层,将所述第1内引线、所述第2内引线、所述配线部、所述半导体芯片、所述第1接合线、及所述第2接合线密封;且

所述第1内引线的延伸方向上的端部及所述配线部的第2端部各自在比宽度方向的端部更内侧的区域具有凹部。

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