[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201710132974.9 | 申请日： | 2017-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN107154434A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 二木俊郎 | 申请（专利权）人： | 精工半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265;H01L31/101;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,邓毅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置和半导体装置的制造方法。为了在同一硅衬底一起形成可靠性高的受光元件和MOS晶体管，在MOS晶体管的栅电极形成以后，去除受光元件形成区域上的栅氧化膜，在受光元件形成区域上重新形成热氧化膜，并穿过该氧化膜对受光元件形成区域进行离子注入，由此形成浅的pn结。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：第一工序，在具有受光元件形成区域和MOS晶体管形成区域的硅衬底表面上，形成作为MOS晶体管的栅氧化膜的第一热氧化膜；第二工序，在所述第一热氧化膜上形成多晶硅膜；第三工序，对所述多晶硅膜进行构图，在所述MOS晶体管形成区域形成所述MOS晶体管的栅电极；第四工序，去除所述第一热氧化膜中的、除所述栅电极的下部以外的所述第一热氧化膜；第五工序，在所述硅衬底表面形成第二热氧化膜；以及第六工序，穿过所述第二热氧化膜，对所述受光元件形成区域离子注入杂质而形成杂质区域。
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