[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

第一工序，在具有受光元件形成区域和MOS晶体管形成区域的硅衬底表面上，形成作为MOS晶体管的栅氧化膜的第一热氧化膜；

第二工序，在所述第一热氧化膜上形成多晶硅膜；

第三工序，对所述多晶硅膜进行构图，在所述MOS晶体管形成区域形成所述MOS晶体管的栅电极；

第四工序，去除所述第一热氧化膜中的、除所述栅电极的下部以外的所述第一热氧化膜；

第五工序，在所述硅衬底表面形成第二热氧化膜；以及

第六工序，穿过所述第二热氧化膜，对所述受光元件形成区域离子注入杂质而形成杂质区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第二热氧化膜还形成在所述栅电极的上表面和侧面。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

通过所述离子注入，还对所述MOS晶体管形成区域注入所述杂质，形成所述MOS晶体管的LDD区域。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有以下工序：

第七工序，在所述第二热氧化膜上形成绝缘膜；以及

第八工序，在所述受光元件形成区域的所述第二热氧化膜上形成有掩模层的状态下进行各向异性蚀刻，在所述MOS晶体管的栅电极的侧面上形成由所述绝缘膜构成的侧壁，并且使所述绝缘膜残留在所述受光元件形成区域上。

5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具有以下工序：

第七工序，在所述第二热氧化膜上形成第一绝缘膜；

第八工序，在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；以及

第九工序，将所述第一绝缘膜作为蚀刻阻挡层而进行各向异性蚀刻，在所述MOS晶体管的栅电极的侧面上形成由所述第二绝缘膜构成的侧壁。

6.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述杂质区域的所述硅衬底的最表面的杂质浓度为10¹⁹cm^-3以上，所述杂质区域的杂质浓度成为10¹⁷cm^-3以下时的、距所述硅衬底表面的深度为100nm以下。

7.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二热氧化膜的厚度为30nm以下。

8.一种半导体装置，其在同一硅衬底上具有MOS晶体管和受光元件，该半导体装置的特征在于，

所述MOS晶体管具有：

栅电极；

作为第一热氧化膜的栅氧化膜，其仅设置在所述栅电极下；

第二热氧化膜，其覆盖所述栅电极的侧面和所述栅氧化膜的侧面，并设置于所述硅衬底的表面；

侧壁，其是隔着所述第二热氧化膜而设置的侧壁，在所述侧壁与所述栅电极之间以及所述侧壁与所述硅衬底之间设置有所述第二热氧化膜；以及

LDD区域，其相对于在所述栅电极的侧面设置的所述第二热氧化膜，自对准地设置于所述硅衬底；

所述受光元件具有：

所述第二热氧化膜，其直接设置于所述硅衬底的表面；

杂质区域，其设置于所述第二热氧化膜的正下方的所述硅衬底的表面；以及

绝缘膜，其设置在所述第二热氧化膜上，由与所述侧壁相同的膜构成。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，

所述杂质区域的所述硅衬底的最表面的杂质浓度为10¹⁹cm^-3以上，所述杂质区域的杂质浓度成为10¹⁷cm^-3以下时的、距所述硅衬底的表面的深度为100nm以下。