[发明专利]半导体装置的封装方法有效
申请号: | 201710131409.0 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN107968055B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 许晓凤;林平平;黎耀威 | 申请(专利权)人: | 台达电子国际(新加坡)私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 半导体装置的封装方法包括步骤:提供第一绝缘层,其由预浸材叠层所构成;于第一绝缘层的第一表面形成金属保护层;于第一绝缘层上形成第一对位标识;依据第一对位标识,于第一绝缘层中形成容置腔;于第一绝缘层的第二表面形成第二对位标识;利用热分离胶带将载板贴附于第一绝缘层的第一表面;依据第二对位标识,将半导体装置设置于容置腔内,且以热分离胶带暂时固定半导体装置;于第一绝缘层的第二表面上方设置第二绝缘层,且将第二绝缘层进行压合及固化;移除载板及热分离胶带;以及于第二绝缘层上形成重布线层,其与该半导体装置电连接。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的封装方法,包括步骤:提供一第一绝缘层,其由预浸材叠层所构成;于该第一绝缘层的一第一表面形成一金属保护层;于该第一绝缘层上形成一第一对位标识;依据该第一对位标识,于该第一绝缘层中形成一容置腔;于该第一绝缘层的一第二表面形成一第二对位标识;利用一热分离胶带将一载板贴附于该第一绝缘层的该第一表面;依据该第二对位标识,将该半导体装置设置于该容置腔内,且以该热分离胶带暂时固定该半导体装置;于该第一绝缘层的该第二表面上方设置半固化的一第二绝缘层,且将该第二绝缘层进行压合及固化;移除该载板及该热分离胶带;以及于该第二绝缘层上形成一重布线层,其与该半导体装置电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子国际(新加坡)私人有限公司,未经台达电子国际(新加坡)私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710131409.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高抗振气体密度继电器
- 下一篇:粒子射束传输系统及其分段
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造