[发明专利]半导体装置的封装方法有效
申请号: | 201710131409.0 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN107968055B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 许晓凤;林平平;黎耀威 | 申请(专利权)人: | 台达电子国际(新加坡)私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;章侃铱 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 方法 | ||
半导体装置的封装方法包括步骤:提供第一绝缘层,其由预浸材叠层所构成;于第一绝缘层的第一表面形成金属保护层;于第一绝缘层上形成第一对位标识;依据第一对位标识,于第一绝缘层中形成容置腔;于第一绝缘层的第二表面形成第二对位标识;利用热分离胶带将载板贴附于第一绝缘层的第一表面;依据第二对位标识,将半导体装置设置于容置腔内,且以热分离胶带暂时固定半导体装置;于第一绝缘层的第二表面上方设置第二绝缘层,且将第二绝缘层进行压合及固化;移除载板及热分离胶带;以及于第二绝缘层上形成重布线层,其与该半导体装置电连接。
技术领域
本公开涉及一种封装方法,特别涉及一种电子组件的封装方法。
背景技术
近年来,电子装置设计朝向小尺寸、轻薄及易于携带的趋势发展。再者,随着电子工业技术的日益进步,电子装置的内部电路已逐渐朝向模块化发展,换言之,多个电子组件是整合在单一电子模块中。举例而言,电源模块(power module)为广泛使用的电子模块之一,电源模块可包括例如但不限于直流-直流转换器(DC to DC converter)、直流-交流转换器(DC to AC converter)或交流-直流转换器(AC to DC converter)。于多个电子组件(例如电容器、电阻器、电感器、变压器、二极管及晶体管)整合为电源模块之后,电源模块便可安装于主板或系统电路板上。
目前,嵌入式封装结构因具有例如较小覆盖区域(smaller footprint)、较扁平(lower profile)、较高电源密度及效能(higher power density and performance)、较佳热管理(better thermal management)、较低电源噪声(lower electrical noise)以及易于大规模生产制造等诸多优点而广泛地被应用。
然而传统嵌入式封装结构,例如美国专利证号US8461689所公开的嵌入式封装结构,为了使电子组件可精准地嵌埋于基板中,需于基板的其中的一表面上形成金属框,该金属框位于基板上用来供电子组件嵌埋的开口处的周缘,因此可利用金属框来控制激光烧灼的孔形。然而由上可知,由于传统嵌入式封装结构需额外于基板的表面上形成金属框,故导致传统嵌入式封装结构的生产成本较高。
另外,传统嵌入式封装结构在设置电子组件于基板的开口时,电子组件是通过导电胶(例如银胶)或非导电胶贴附于基板上,也造成生产成本提升。
因此,实有必要提供改良的电子组件的封装方法,以解决现有技术所面临的问题。
发明内容
本公开的目的在于提供一种半导体装置的封装方法,俾解决传统嵌入式封装结构生产成本较高的缺失。
为达上述目的,本公开提供一种电子组件的封装方法,包括步骤:提供一第一绝缘层,其由预浸材叠层所构成;于该第一绝缘层的一第一表面形成一金属保护层;于该第一绝缘层上形成一第一对位标识;依据该第一对位标识,于该第一绝缘层中形成一容置腔;于该第一绝缘层的一第二表面形成一第二对位标识;利用一热分离胶带将一载板贴附于该第一绝缘层的该第一表面;依据该第二对位标识,将该半导体装置设置于该容置腔内,且以该热分离胶带暂时固定该半导体装置;于该第一绝缘层的该第二表面上方设置半固化的一第二绝缘层,且将该第二绝缘层进行压合及固化;移除该载板及该热分离胶带;以及于该第二绝缘层上形成一重布线层,其与该半导体装置电连接。
附图说明
图1A至图1N显示本公开较佳实施例的电子组件的封装方法的结构流程图。
图2为本公开较佳实施例的电子组件的封装方法于图1G所示的步骤完成时,电子组件的半成品封装结构的俯视图。
附图标记说明:
1:第一绝缘层
10:预浸材片
11:第一表面
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台达电子国际(新加坡)私人有限公司,未经台达电子国际(新加坡)私人有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710131409.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高抗振气体密度继电器
- 下一篇:粒子射束传输系统及其分段
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造