[发明专利]半导体装置的封装方法

权利要求书

1.一种半导体装置的封装方法，包括步骤：

提供一第一绝缘层，其由预浸材叠层所构成；

于该第一绝缘层的一第一表面形成一金属保护层；

于该第一绝缘层上形成一第一对位标识；

依据该第一对位标识，于该第一绝缘层中形成一容置腔；

于该第一绝缘层的一第二表面形成一第二对位标识；

利用一热分离胶带将一载板贴附于该第一绝缘层的该第一表面；

依据该第二对位标识，将该半导体装置设置于该容置腔内，且以该热分离胶带暂时固定该半导体装置；

于该第一绝缘层的该第二表面上方设置半固化的一第二绝缘层，且将该第二绝缘层进行压合及固化；

移除该载板及该热分离胶带；以及

于该第二绝缘层上形成一重布线层，其与该半导体装置电连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中该第一绝缘层由该预浸材叠层进行压合及固化而成。

3.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中该金属保护层的厚度小于1m。

4.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中该金属保护层为铜材质所构成。

5.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中该金属保护层以一溅镀处理形成。

6.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中该第一对位标识包含多个基准通孔。

7.如权利要求6所述的半导体装置的封装方法，其中该多个基准通孔包含四个基准通孔，且该四个基准通孔邻设于该第一绝缘层的四个角落处。

8.如权利要求6所述的半导体装置的封装方法，其中该多个基准通孔贯穿该第一绝缘层及该金属保护层。

9.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中该容置腔贯穿该第一绝缘层及该金属保护层。

10.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中该第二对位标识位于该容置腔的周缘处。

11.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中该第一对位标识、该容置腔及该第二对位标识利用激光钻孔或机械钻孔方式形成。

12.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中于形成该容置腔的步骤之后，进一步包括步骤：

进行一除渣处理，藉此去除该容置腔内的胶渣并使该第一绝缘层的该第二表面变粗糙；以及

移除该金属保护层。

13.如权利要求1所述的半导体装置的封装方法，其中于设置该第二绝缘层于该第一绝缘层的该第二表面上方的步骤之前，进一步包括步骤：

利用至少一第一胶带将位于该第一绝缘层的该第二表面上的该第一对位标识的一侧开口封闭。

14.如权利要求13所述的半导体装置的封装方法，其中于移除该载板及该热分离胶带的步骤之后，进一步包括步骤：

利用至少一第二胶带将位于该第一绝缘层的该第一表面上的该第一对位标识的另一侧开口封闭；

于该第一绝缘层的该第一表面上方设置半固化的一第三绝缘层，其中该第三绝缘层覆盖该第二胶带；

将该第三绝缘层进行压合及固化；以及

移除该第一胶带及该第二胶带，以形成一半封装结构。

15.如权利要求14所述的半导体装置的封装方法，其中该形成该重布线层的步骤包含步骤：

利用激光钻孔或机械钻孔方式于该第二绝缘层中形成至少一通孔，其中该通孔对应于该半导体装置的至少一导接端，且利用激光钻孔或机械钻孔方式于该半封装结构中邻近该半导体装置的区域形成至少一贯穿孔，其中该贯穿孔贯穿该第一绝缘层、该第二绝缘层及该第三绝缘层；

于该第二绝缘层的部分表面、该第三绝缘层的部分表面、及该贯穿孔的壁面形成一导电金属层，并于该通孔内部填满该导电金属层；

形成一第四绝缘层于该半封装结构的两相对表面，且暴露部分的该导电金属层；以及

形成至少一导电图形于与该半导体装置的该导接端相导接的部分该导电金属层上。