[发明专利]半导体装置的制造方法在审
申请号: | 201710129004.3 | 申请日: | 2017-03-06 |
公开(公告)号: | CN107204298A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | 佐野雄一 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 杨林勋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的实施方式提供一种半导体装置的制造方法,能有效扩大在打线接合时产生接触等的接合线间的间隔。实施方式的半导体装置的制造方法包括以下步骤使用插有接合线的毛细管,分别用接合线将多个第1接合部与多个第2接合部之间电连接;测定相邻接合线间的间隙;及在相邻接合线间的间隙为设定值以下的一组接合线间配置毛细管,使毛细管边与至少一条接合线接触边沿接合线的接线方向移动,扩大相邻接合线间的间隙。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括以下步骤:使用插有接合线的毛细管,分别用所述接合线将设置在第1装置构成零件的多个第1接合部、与设置在第2装置构成零件的多个第2接合部之间电连接;对连接所述多个第1接合部与所述多个第2接合部的多个所述接合线中,相邻的所述接合线间的间隙进行测定;选择所测定的所述相邻接合线间的间隙为设定值以下的一组接合线;及在所选择的所述一组接合线间配置所述毛细管,使所述毛细管边与至少一条所述接合线接触边沿所述接合线的接线方向移动,扩大所述一组接合线间的间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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