[发明专利]半导体装置的制造方法在审

专利信息
申请号: 201710129004.3 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN107204298A 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 佐野雄一 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的实施方式提供一种半导体装置的制造方法,能有效扩大在打线接合时产生接触等的接合线间的间隔。实施方式的半导体装置的制造方法包括以下步骤使用插有接合线的毛细管,分别用接合线将多个第1接合部与多个第2接合部之间电连接;测定相邻接合线间的间隙;及在相邻接合线间的间隙为设定值以下的一组接合线间配置毛细管,使毛细管边与至少一条接合线接触边沿接合线的接线方向移动,扩大相邻接合线间的间隙。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,其特征在于包括以下步骤:使用插有接合线的毛细管,分别用所述接合线将设置在第1装置构成零件的多个第1接合部、与设置在第2装置构成零件的多个第2接合部之间电连接;对连接所述多个第1接合部与所述多个第2接合部的多个所述接合线中,相邻的所述接合线间的间隙进行测定;选择所测定的所述相邻接合线间的间隙为设定值以下的一组接合线;及在所选择的所述一组接合线间配置所述毛细管,使所述毛细管边与至少一条所述接合线接触边沿所述接合线的接线方向移动,扩大所述一组接合线间的间隙。
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