[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

使用插有接合线的毛细管，分别用所述接合线将设置在第1装置构成零件的多个第1接合部、与设置在第2装置构成零件的多个第2接合部之间电连接；

对连接所述多个第1接合部与所述多个第2接合部的多个所述接合线中，相邻的所述接合线间的间隙进行测定；

选择所测定的所述相邻接合线间的间隙为设定值以下的一组接合线；及

在所选择的所述一组接合线间配置所述毛细管，使所述毛细管边与至少一条所述接合线接触边沿所述接合线的接线方向移动，扩大所述一组接合线间的间隙。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于还包括以下步骤：

扩大所述一组接合线间的间隙后，再次测定所述一组接合线间的间隙；及

在所述再次测定的一组接合线间的间隙的测定值为设定值以下的所述一组接合线间，配置所述毛细管，使所述毛细管边与至少一条所述接合线接触边沿所述接合线的接线方向移动，再次扩大所述一组接合线间的间隙。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在再次测定所述间隙的步骤中，仅再次测定所述间隙经扩大的一组接合线间的间隙。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括以下步骤：

使用插有接合线的毛细管，分别用所述接合线将设置在第1装置构成零件的多个第1接合部、与设置在第2装置构成零件的多个第2接合部之间电连接；

对连接所述多个第1接合部与所述多个第2接合部的多个所述接合线中，一所述接合线偏离设定轨迹的量进行测定；

当所测定的一所述接合线偏离设定轨迹的量为设定值以上时，选择偏离设定轨迹的量为设定值以上的第1接合线、与在所述第1接合线偏离设定轨迹的方向相邻的第2接合线，作为一组接合线；及

在所选择的所述一组接合线间配置所述毛细管，使所述毛细管边与至少一条所述接合线接触边沿所述接合线的接线方向移动，扩大所述一组接合线间的间隙。

5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于还包括以下步骤：

扩大所述一组接合线间的间隙后，再次测定所述第1接合线偏离设定轨迹的量；及

在包括所述再次测定的所述第1接合线偏离设定轨迹的量为设定值以上的所述第1接合线在内的所述一组接合线间，配置所述毛细管，使所述毛细管边接触至少一条所述接合线边沿所述接合线的接线方向移动，再次扩大所述一组接合线间的间隙。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述再次测定步骤中，仅对所述间隙经扩大的一组接合线再次测定偏离设定轨迹的量。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述所选择的一组接合线间配置所述毛细管之前，还包括以下步骤：使插在所述毛细管中的所述接合线上升，将所述接合线的前端收纳在所述毛细管内。

8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述毛细管具有瓶颈结构的前端部，使比所述前端部的前端直径大、且比瓶颈高度低的部分接触所述接合线。