[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710129003.9 申请日: 2017-03-06
公开(公告)号: CN107204293B 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 三野利一 申请(专利权)人: 东芝存储器株式会社
主分类号: H01L21/52 分类号: H01L21/52;H01L23/10
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 杨林勋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 实施方式提供一种能够抑制电路板的位置偏移的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤:一边从与底面交叉的方向将挤压肋的一部分压扁,一边将电路板朝向第1面保持在第1壳体部,所述第1壳体部具备第1凹部及从第1凹部的壁面突出的衬底保持用肋,且衬底保持用肋具有第1面、第2面、挤压肋及槽,所述第1面位于与第1凹部的底面隔开的位置,所述第2面从第1凹部的壁面朝向第1凹部的底面倾斜,所述挤压肋以从第2面突出的方式沿第2面的倾斜方向延伸,所述槽以与第2面的下端相接的方式设置在第1面与第2面之间。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于具备如下步骤:一边从与下述底面交叉的方向朝向下述第1面将下述挤压肋的一部分压扁,一边将具有半导体芯片的电路板保持在第1壳体部,所述第1壳体部具备第1凹部及从所述第1凹部的壁面突出的衬底保持用肋,且所述衬底保持用肋具有第1面、第2面、挤压肋及槽,所述第1面位于与所述第1凹部的底面隔开的位置,所述第2面从所述第1凹部的壁面朝向所述第1凹部的底面倾斜,所述挤压肋以从所述第2面突出的方式沿所述第2面的倾斜方向延伸,所述槽以与所述第2面的下端相接的方式设置在所述第1面与所述第2面之间;将所述第1壳体部与具备第2凹部的第2壳体部以在由所述第1凹部及所述第2凹部包围的空间配置所述电路板的方式结合;以及在所述保持步骤之前或之后,形成电连接在所述电路板的连接端子。
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