[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于具备如下步骤：

一边从与下述底面交叉的方向朝向下述第1面将下述挤压肋的一部分压扁，一边将具有半导体芯片的电路板保持在第1壳体部，所述第1壳体部具备第1凹部及从所述第1凹部的壁面突出的衬底保持用肋，且所述衬底保持用肋具有第1面、第2面、挤压肋及槽，所述第1面位于与所述第1凹部的底面隔开的位置，所述第2面从所述第1凹部的壁面朝向所述第1凹部的底面倾斜，所述挤压肋以从所述第2面突出的方式沿所述第2面的倾斜方向延伸，所述槽以与所述第2面的下端相接的方式设置在所述第1面与所述第2面之间；

将所述第1壳体部与具备第2凹部的第2壳体部以在由所述第1凹部及所述第2凹部包围的空间配置所述电路板的方式结合；以及

在所述保持步骤之前或之后，形成电连接在所述电路板的连接端子。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述底面至所述第1面的长度长于所述底面至所述第2面的下端的长度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述壁面包含第1壁面以及与所述底面及所述第1壁面交叉的第2壁面，

所述第1壳体部具有多个所述衬底保持用肋，

所述多个衬底保持用肋的一个沿与所述第1壁面交叉的方向突出，

所述多个衬底保持用肋的另一个沿与所述第2壁面交叉的方向突出。

4.一种半导体装置，其包括具备衬底保持用肋的第1壳体部及与所述第1壳体部结合的第2壳体部；其特征在于：

所述第1壳体部具备第1凹部，且所述衬底保持用肋从所述第1凹部的壁面突出；

所述第2壳体部具备第2凹部，且以具有由所述第1凹部及所述第2凹部包围的空间的方式与所述第1壳体部结合；且

所述半导体装置更具备：

电路板，配置在所述空间，且具有半导体芯片；以及

连接端子，电连接在所述电路板；且

所述衬底保持用肋具有：

第1面，位于与所述第1凹部的底面隔开的位置；

第2面，从所述第1凹部的壁面朝向所述第1凹部的底面倾斜；

挤压肋，以从所述第2面突出的方式沿所述第2面的倾斜方向延伸；以及

槽，以与所述第2面的下端相接的方式设置在所述第1面与所述第2面之间；

所述挤压肋的一部分沿与所述底面交叉的方向被所述电路板压扁，

所述挤压肋的下端被挤出至所述槽的内部。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：所述壁面包含第1壁面以及与所述底面及所述第1壁面交叉的第2壁面，

所述第1壳体部具有多个所述衬底保持用肋，

所述多个衬底保持用肋的一个沿与所述第1壁面交叉的方向突出，

所述多个衬底保持用肋的另一个沿与所述第2壁面交叉的方向突出。