[发明专利]半导体装置封装和其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710123452.2 申请日: 2017-03-03
公开(公告)号: CN107170717B 公开(公告)日: 2019-11-15
发明(设计)人: 张简千琳;李长祺;高金利;陈道隆;郑大千 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人: 萧辅宽<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 中国台湾高雄市楠梓*** 国省代码: 中国台湾;TW
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摘要: 本揭露提供半导体装置封装,包含一封装衬底、一第一电子装置、一第二电子装置及一第一模封层。所述封装衬底包含一第一表面、相对于所述第一表面的一第二表面以及一边缘。所述第一电子装置位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底。所述第二电子装置位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置。所述第一模封层位于所述封装衬底上方,且所述第一模封层包覆所述第一表面之一部分及所述封装衬底之边缘。
搜索关键词: 半导体 装置 封装 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体装置封装,其包含:/n封装衬底,其包含第一表面、相对于所述第一表面的第二表面以及边缘;/n第一电子装置,其位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底;/n第二电子装置,其位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置;和/n第一模封层,其位于所述封装衬底上方,其中所述第一模封层:/n包覆所述封装衬底的所述第一表面的部分;且/n包含从所述封装衬底的所述第一表面延伸到所述封装衬底的所述第二表面且覆盖所述封装衬底的所述边缘的部分,其中在平行于所述封装衬底的所述边缘的方向上测量的所述第一模封层的所述部分的厚度相当于在所述方向上测量的所述封装衬底的总厚度,且所述第一模封层进一步位于所述第一电子装置与所述第二电子装置之间。/n
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