[发明专利]半导体装置封装和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包含：

封装衬底，其包含第一表面、相对于所述第一表面的第二表面以及边缘；

第一电子装置，其位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底；

第二电子装置，其位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置；和

第一模封层，其位于所述封装衬底上方，其中所述第一模封层：

包覆所述封装衬底的所述第一表面的部分；且

包含从所述封装衬底的所述第一表面延伸到所述封装衬底的所述第二表面且覆盖所述封装衬底的所述边缘的部分，其中在平行于所述封装衬底的所述边缘的方向上测量的所述第一模封层的所述部分的厚度相当于在所述方向上测量的所述封装衬底的总厚度，且所述第一模封层进一步位于所述第一电子装置与所述第二电子装置之间。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一电子装置包含多个通孔，且所述第二电子装置通过所述第一电子装置的所述多个通孔电连接至所述封装衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包含：

多个第一导电结构，其位于所述封装衬底与所述第一电子装置之间且电连接至所述封装衬底和所述第一电子装置；和

多个第二导电结构，其位于所述第一电子装置与所述第二电子装置之间且电连接至所述第一电子装置和所述第二电子装置。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一模封层进一步包覆所述第一电子装置的部分及所述第二电子装置的部分。

5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包含第一填胶层，其位于所述封装衬底与所述第一电子装置之间。

6.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包含第二填胶层，其位于所述第一电子装置与所述第二电子装置之间。

7.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一模封层进一步位于所述封装衬底与所述第一电子装置之间。

8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包含位于所述第一电子装置上方的第二模封层，所述第二模封层包含侧壁，其中所述第二模封层包覆所述第一电子装置的部分及所述第二电子装置的部分，且所述第一模封层围绕所述第二模封层的所述侧壁。

9.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包含位于所述封装衬底的所述第二表面上方且电连接至所述封装衬底的所述第二表面的多个导体。

10.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一模封层暴露所述第二电子装置的上表面，且所述半导体装置封装进一步包含位于所述第二电子装置的所述上表面上方的散热器。

11.一种半导体装置封装，其包含：

封装衬底，其包含第一表面、相对于所述第一表面的第二表面以及边缘；

第一电子装置，其位于所述封装衬底上方且通过所述第一表面电连接至所述封装衬底；

第二电子装置，其位于所述第一电子装置上方且电连接至所述第一电子装置；和

第一模封层，其位于所述封装衬底上方，其中所述第一模封层：

包覆所述封装衬底的所述第一表面的部分；及

包含从所述封装衬底的所述第一表面延伸到所述封装衬底的所述第二表面且覆盖所述封装衬底的所述边缘的部分，其中在平行于所述封装衬底的所述边缘的方向上测量的所述第一模封层的所述部分的厚度相当于在平行于所述封装衬底的所述边缘的所述方向上测量的所述封装衬底的总厚度；且

其中所述半导体装置封装的翘曲小于8密耳。

12.根据权利要求11所述的半导体装置封装，其中所述第一模封层具有在平行于所述封装衬底的所述边缘的所述方向上从所述封装衬底的所述第一表面至所述第一模封层的上表面测量的厚度，且所述第一模封层的所述厚度与所述封装衬底的所述厚度的比小于或等于0.7。