[发明专利]具有自适应预充电策略的DRAM控制器有效
| 申请号： | 201710117918.8 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN107274926B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | M·韦纳;许宏麟;N·克莱因;徐军华;简嘉宏 | 申请（专利权）人： | 马维尔亚洲私人有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4096 | 分类号： | G11C11/4096 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的各实施例总体上涉及具有自适应预充电策略的DRAM控制器。具体地，动态随机访问存储器(DRAM)控制器包括存储器接口和处理器。该存储器接口被配置为与包括一个或多个存储器组的DRAM通信。该处理器被配置为接收输入/输出(I/O)命令，每个I/O命令寻址将在DRAM中被访问的相应存储器组和该存储器组内的相应行，进一步接收一个或多个指示，指示后续I/O命令将寻址与先前I/O命令同一存储器组中同一行的可能性，基于指示，自适应设置用于解激活DRAM的行的策略，以及根据该策略执行DRAM中的I/O命令。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 自适应 充电 策略 dram 控制器 | ||
【主权项】：
一种动态随机访问存储器DRAM控制器，包括：存储器接口，所述存储器接口被配置为与包括一个或多个存储器组的DRAM通信；以及处理器，所述处理器被配置为：接收输入/输出I/O命令，每个I/O命令寻址将在所述DRAM中被访问的相应存储器组和所述存储器组内的相应行；进一步接收一个或多个指示，所述指示用于指示后续I/O命令将寻址与先前I/O命令同一存储器组中同一行的可能性；基于所述指示，自适应设置用于解激活所述DRAM的行的策略；以及根据所述策略执行所述DRAM中的所述I/O命令。
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