[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710112627.X | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107180871B | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 胡楚威;林振华 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体器件，能够高电压工作。其中该半导体器件包括：半导体基底，具有第一导电类型；第一阱掺杂区，形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且具有该第二导电类型；第二掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且与该第一掺杂区分开，同时具有该第二导电类型；以及于该第一和第二掺杂区之间形成的第一、第二和第三栅极结构；其中该第一栅极结构相邻于该第一掺杂区；该第二栅极结构与该第一栅极结构的一部分以及该第一阱掺杂区的一部分重叠；该第三栅极结构位于该第二栅极结构旁；其中，避免有任何栅极结构和硅化物形成于该第一阱掺杂区的顶面中位于该第二和第三栅极结构之间的部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体基底，具有第一导电类型；第一阱掺杂区，形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型，该第一和第二导电类型为相反的导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且具有该第二导电类型；第二掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且与该第一掺杂区分开，同时具有该第二导电类型；以及于该第一和第二掺杂区之间形成的第一、第二和第三栅极结构；其中，该第一栅极结构位于该第一阱掺杂区上并且相邻于该第一掺杂区；其中，该第二栅极结构与该第一栅极结构的一部分以及该第一阱掺杂区的一部分重叠；其中，该第三栅极结构位于该第二栅极结构旁；其中，避免有任何栅极结构和硅化物形成于该第一阱掺杂区的顶面中位于该第二和第三栅极结构之间的部分上。
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