[发明专利]半导体器件

说明书

本发明实施例提供了一种半导体器件，能够高电压工作。其中该半导体器件包括：半导体基底，具有第一导电类型；第一阱掺杂区，形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且具有该第二导电类型；第二掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且与该第一掺杂区分开，同时具有该第二导电类型；以及于该第一和第二掺杂区之间形成的第一、第二和第三栅极结构；其中该第一栅极结构相邻于该第一掺杂区；该第二栅极结构与该第一栅极结构的一部分以及该第一阱掺杂区的一部分重叠；该第三栅极结构位于该第二栅极结构旁；其中，避免有任何栅极结构和硅化物形成于该第一阱掺杂区的顶面中位于该第二和第三栅极结构之间的部分上。

技术领域

本发明涉及集成电路(Integrated Circuit，IC)领域，尤其涉及一种能够高电压(高压)工作的半导体器件。

背景技术

近年来，随着对高压器件(诸如功率半导体器件)的需求增加，业界对应用于高压器件中的HV MOSFET(High-Voltage Metal-Oxide-Semiconductor Field EffectTransistors，高电压金属氧化物半导体场效应晶体管)的研究已越来越有兴趣。

在各种类型的HV MOSFET中，一般经常使用诸如LDMOS(Lateral Double DiffusedMetal-Oxide-Semiconductor，横向扩散金属氧化物半导体)等半导体器件。

但是，随着半导体制造技术的发展，用于高压器件的HV MOSFET的崩溃电压(breakdown voltage)需要进一步加强。如此，由于持续对高压器件的半导体制造的需要，因此需要可靠的具有增强的崩溃电压的高压MOSFET来满足设备性能要求，该高压MOSFET用于高压器件。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种半导体器件，能够高压工作，并且在制造时，无需增加额外的掩膜。

本发明实施例提供了一种半导体器件，包括：半导体基底，具有第一导电类型；第一阱掺杂区，形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型，该第一和第二导电类型为相反的导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且具有该第二导电类型；第二掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且与该第一掺杂区分开，同时具有该第二导电类型；以及于该第一和第二掺杂区之间形成的第一、第二和第三栅极结构；其中，该第一栅极结构位于该第一阱掺杂区上并且相邻于该第一掺杂区；其中，该第二栅极结构与该第一栅极结构的一部分以及该第一阱掺杂区的一部分重叠；其中，该第三栅极结构位于该第二栅极结构旁；其中，避免有任何栅极结构和硅化物形成于该第一阱掺杂区的顶面中位于该第二和第三栅极结构之间的部分上。

其中，该第一栅极结构的顶面所在的水平面介于该第三栅极结构的平坦的顶面和平坦的底面之间。

其中，进一步包括：第二阱掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且具有该第一导电类型；其中，该第一掺杂区形成于该第二阱掺杂区中，该第一栅极结构形成为与该第二阱掺杂区的一部分和该第一阱掺杂区的一部分重叠。

其中，该第二栅极结构电性耦接至该第一栅极结构，该第三栅极结构电性浮接，该第一掺杂区电性耦接至参考电势，该第二掺杂区电性耦接至漏极电源电压。

其中，没有任何栅极结构覆盖该第三栅极结构。

其中，该第二栅极结构具有第一底面和第二底面，其中该第一底面与该第一栅极结构接触，该第二底面与该第三栅极结构的底面对齐。

其中，进一步包括：第四栅极结构，位于该第一阱掺杂区上并且相邻于第二掺杂区；其中，该第三栅极结构与该第四栅极结构的一部分重叠。

其中，该第二栅极结构电性耦接至该第一栅极结构；该第三栅极结构电性耦接至该第一栅极结构；该第四栅极结构电性浮接；该第一掺杂区电性耦接至参考电压；以及该第二掺杂区电性耦接至漏极电源电压。