[发明专利]半导体结构的制作方法

摘要

本发明揭示了一种半导体结构的制作方法。本发明提供的半导体结构的制作方法，包括：形成有第一类型阱和第二类型阱，以及分别位于第一类型阱和第二类型阱上的栅极；进行第一次离子注入形成第一注入区；在所述第一类型阱上和第二类型阱的栅极上形成第一掩膜层并进行第二次离子注入形成第二注入区；在所述第二类型阱上和第一类型阱的栅极上形成第二掩膜层并进行第三次离子注入，使得第一类型阱中的第一注入区转变为第三注入区，并形成第四注入区。由此，能够至少节省两层LDD的光罩，以及对应的至少两道工序，能够节约成本，优化制作工艺，缩短生产周期。

主权项

1.一种半导体结构的制作方法，包括：提供前端结构，所述前端结构形成有第一类型阱和第二类型阱，以及分别位于第一类型阱和第二类型阱上的栅极；对所述前端结构进行第一次离子注入，以分别在第一类型阱和第二类型阱中栅极两侧形成第一注入区；在所述第一类型阱上和第二类型阱的栅极上形成第一掩膜层，并对所述第二类型阱进行第二次离子注入，在第二类型阱中栅极两侧形成第二注入区，所述第一次注入的离子和第二次注入的离子类型相同；移除所述第一掩膜层；在所述第二类型阱上和第一类型阱的栅极上形成第二掩膜层，并对所述第一类型阱进行第三次离子注入，使得第一类型阱中的第一注入区转变为第三注入区，并在第一类型阱中栅极两侧形成第四注入区，所述第一次注入的离子和第三次注入的离子类型不同；移除所述第二掩膜层。